2024-03-29T12:44:19Z
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/oai
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/106
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
"121130 2012 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Ion-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculation
Prischepa, M. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Lozovyi, S. V.
V.E. Lashkaryov Institute of semiconductor physics, Kiev
Розробляються та вдосконалюються сенсори на основі іон-селективних польових транзисторів(ІСПТ) для дослідження іонного складу розчинів. Для проектування та вдосконалення схем управління сенсорами необхідно визначати порогову напругу ІСПТ за даними технологічного процесу. У статті наведено аналітичний розрахунок порогової напруги p-канального ІСПТ.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2012-11-29 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/106
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 50 (2012)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/109
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
"120127 2012 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Frequency modulated signal generation
Kotserzhynskyi, B. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Представлений процес організації генерування сигналів із складною часовою залежністю частоти із використанням простих інтегральних синтезаторів прямого цифрового синтезу від вибору синтезатора, аналізу його часових та модуляційних характеристик, інтерфейсу до створення діючого макета, організації програмованого керування та отримання частотно-модульованих коливань. Результати експериментальних досліджень узгоджуються із теоретичними розрахунками спектрів тестових сигналів. Доведена можливість генерування сигналів із складним законом частотної модуляції на пристроях із простими інтегральними синтезаторами.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2012-10-10 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/109
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 49 (2012)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/131
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
An assessment of the main CCD characteristics
Neuimin, O. S.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-5372-8474
Dyachenko, S. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Розглянуто вплив неоднорідності елементів ПЗЗ-матриць на вихідний сигнал та способи її усунення. За допомогою комп’ютерного програмного забезпечення ImageJ реалізовувався метод віднімання темного кадру, який дав позитивні результати у покращені зображення. Запропоновано спосіб формування міри на екрані монітору для експериментального вимірювання частотно-контрастної характеристики ПЗЗ-матриць. Представлено практичні та теоретичні результати дослідження ЧКХ. Наведено пояснення до отриманих результатів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2011-12-01 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/131
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 47 (2011)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/190
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
"101127 2010 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Radioengineering and optic models in nanoelectronics
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Розглянуто застосування радіотехнічних та оптичних моделей в задачах наноелектроніки. Отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур. Наведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2010-12-01 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/190
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 43 (2010)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/191
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
"101127 2010 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Investigation the electrical properties of copper films for integrated circuits
Prischepa, M. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Проведено комплексне дослідження мікроструктурних, електричних і механічних параметрів мідних плівок, отриманих термойонним нанесенням (ТЙН) на ситалові й полікорові підложки. Досліджувані параметри порівнювали з відповідними параметрами гранул вакуумплавленої міді, з якої були виготовлені досліджувані зразки. Проведені дослідження показали, що основні параметри плівок міді, виготовлених за технологією ТЙН, близькі за значеннями до масивних зразків вакуумплавленої міді.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2010-12-01 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/191
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 43 (2010)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/265
2024-03-29T12:44:17Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation
Rudenko, N. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Stuguk, I. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Надані розрахункові співвідношення, що визначають зміни часу життя носіїв в напівпровідникових матеріалах під впливом радіаційного опромінення.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2009-10-11 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/265
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 39 (2009)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/331
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"130129 2013 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Use direct volume magnetostatic waves for convolver construction
Kudinov, E. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
It is shown that the use of direct volume magnetostatic waves (FVMSW) in epitaxial ferrite film can be the basis for convolver construction. A theoretical analysis confirmed that the output signal corresponds to the double compressed in time (because of counter motion waves that carry signals) convolution function at the input signals. Defined expression for calculating signal of convolution, which takes into account the frequency characteristics of a magnetized film as waveguide structure, the sizes of the film and the antenna in form a rectangular loop, the induced voltage which corresponds to the signal convolution. For FVMSW limit signals, beyond which there is an unstable nonlinear phenomena associated with parametric excita-tion of exchange spin waves, tall, can give signals of a higher level and get a good si g-nal/noise ratio for the signal convolution.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2012-12-25 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/331
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 51 (2012)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/384
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Impedance model for nanostructures
Akhmedov, R. S.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Розглянуто використання імпедансної моделі для моделювання наноелектронних квантово-механічних структур. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2007-06-06 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/384
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 34 (2007)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/385
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Modeling three-dimensional crystal-like structures
Bojko, V. O.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Bereziansky, B. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Розглянуто особливості конструкцій та характеристик тривимірних кристалоподібних структур. Виконано аналіз таких структур, який ілюструє відповідність експериментальних та теоретичних результатів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2007-06-06 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/385
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 34 (2007)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/581
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Computer simulation of quantum-size structures in the Matlab environment
Babushkin, A. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Розглянуто особливості комп’ютерного моделюванняквантоворозмірних структур (КРС) в середовищі Matlab. Інтерфейс програми відображає структуру, її модель і характеристику. Такий інтерфейс зручний при проектуванні наноелектронних пристроїв, а також при вивченні їх принципів у навчальномупроцесі. Інтерфейс розроблено на прикладі тришарової КРС, що включає симетричні інесиметричні одно- і двобар’єрні структури та структуру з двоямним потенціалом.Розглянуто приклад аналізу симетричної двобар’єрної структури з несиметричнимибар'єрами. Звернуто увагу на особливості комп’ютерного моделювання КРС, характеристик КРС та параметрів її моделі при резонансному тунелюванні електронів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2011-10-01 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/581
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 46 (2011)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/628
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Efficiency of electromagnetic crystals discontinuities
Nazarko, A. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-7886-8956
Tymofieieva, Y. F.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0003-0452-6301
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Проаналізована ефективність поодиноких та подвійних неоднорідностей електромагнітних кристалів. Наведені характеристики, що ілюструють результати моделювання.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2010-01-25 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/628
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 40 (2010)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/630
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
The Influence of Neutron Radiation on Characteristics of the Heterostructures with Red and Yellow Emission Color
Rudenko, N. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Kuzmenko, O. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Виконано дослідження впливу нейтронного випромінювання на параметри гетероструктур (AIxGa1-x)0.5In0.5P. Представлені результати експериментів, які дозволяють прогнозувати деградацію характеристик напівпровідникових структур під впливом нейтронного опромінювання та зміни електричних, випромінюваних характеристик світлодіодів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2010-01-25 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/630
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 40 (2010)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/632
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Formation of nano-sizes in microelectronics
Kysil, O. S.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Проведено фізичний аналіз йонного травлення поверхні широковживаних матеріалів мікроелектроніки; наведені результати моделювання розробленою програмою.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2010-01-25 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/632
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 40 (2010)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/680
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Development of devices and systems of growth of gallium arsenide ingots for micro, nano electronics and photovoltaics
Oksanich, A. P.
Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, Kremenchuk
Pritchin, S. E.
Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, Kremenchuk
Terban, V. A.
PC «Galar», Svetlovodsk
Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки. У роботі представлені результати розробки системи керування процесом вирощування зливків арсеніду галія, теплового вузла, методу й системи виміру внутрішніх напружень у пластинах арсеніду галію. Представлені в роботі технічні рішення дозволили одержати злитки кремнію діаметром 100 мм. с рухливістю, см2 В-1 с-1 - 2500 ÷ 3500; концентрацій носіїв заряду, см-3 - 5x1017 ÷ 5x1018; густиною дислокацій, см-2 - до 8x104.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2013-09-28 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/680
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 54 (2013)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/681
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Miniature devices based on electromagnetic crystals
Bidenko, P. S.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-4999-8911
Nazarko, A. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-7886-8956
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Popsui, V. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev https://orcid.org/0000-0002-5637-1594
Запропоновано метод зменшення габаритів електромагнітних кристалів (ЕК) формуванням хвильової траєкторії у вигляді взаємопов'язаних п-подібних петель, що охоплюють неоднорідності. При однакових значеннях діаметру неоднорідностей та відстані між ними запропонована структура приблизно в 2,4 і в 1,5 рази коротша структур з прямолінійною і у формі меандру хвильовою траєкторією. Розглянуто особливості моделювання ЕК-фільтра. Представлено експериментальну та теоретичну амплітудно-частотні характеристики мінімізованого вузькосмугового ЕК-фільтра, реалізованого за схемою резонатора Фабрі-Перо.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2013-09-28 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/681
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 54 (2013)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/683
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
2310-0389
2310-0397
dc
Silicon-germanium wiskers as sensitive elements of strain sensors, operating in harsh conditions
Druzinin, A. O.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Ostrovskii, I. P.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Khoverko, Yu. M.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Vuitsyk, A. M.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
На основі експериментальних досліджень встановлено, що деформовані стиском мікрокристали Si1-хGeх (х = 0,01÷0,03) з питомим опором ρ300 = 0,016 Ом см можуть бути використані як чутливі елементи сенсорів механічних величин, працездатні за кріогенних температур. Створено вимірювальну систему з використанням чутливих елементів сенсорів на основі нитчастих кристалів Si1-xGex із одночасною корекцію їх температурних залежностей, що дозволить враховувати температурну залежність коефіцієнта тензочутливості при зміні температури середовища.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2013-09-28 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/683
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 54 (2013)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/713
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"131210 2013 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Impedance spectroscopy of Si whiskers in the range of metal-insulator transition
Druzinin, A. O.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Ostrovskii, I. P.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Khoverko, Yu. M.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
Koretskyy, R. M.
Lviv Polytechnic National University, Lviv
На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами 40х10-6 м, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-діелектрик (ρ300К = 0,94-1,68х10-4 Ом•м) у температурному інтервалі 4,2-70 К, частотному діапазоні 0,01-250 х103 Гц виявлено, що імпеданс зразків в залежності від температури має ємнісний (4,2К – 20 К) та індуктивний (30 – 70 К) характер, величина якого залежить від концентрації легуючої домішки. На основі досліджень кристалів методом імпедансної спектроскопії обговорено відмінність поведінки імпендансу зразків з різною концентрацією легуючої домішки.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2013-12-12 15:10:45
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/713
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 55 (2013)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/729
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"080526 2008 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
One-barrier crystal-like structures
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Sergiyenko, A. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Запропоновано однобар’єрні кристалоподібні структури з резонансним тунелюванням хвиль. Наведено характеристики, що ілюструють високу ефективність таких структур.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2008-05-26 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/729
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 36 (2008)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/730
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"080526 2008 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Modeling of microstrip analogue of a photon crystal
Nazarko, A. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-7886-8956
Tymofieieva, Y. F.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0003-0452-6301
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Ivanov, О. М.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Розглянуто порівняльне моделювання мікросмужкового аналога фотонного кристала імпедансним методом, методом Олінера та методом скінчених інтегралів. Наведено характеристики, що ілюструють взаємну відповідність результатів моделювання.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2008-05-26 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/730
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 36 (2008)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/752
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"140306 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Comparison of traditional and impedance methods for quantum–sized structures simulation
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Vodolazka, M. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-8965-3523
Порівняння традиційного та імпедансного методів моделювання квантово–розмірних структур. Проведено порівняльний аналіз традиційного та імпедансного підходів при моделюванні несиметричного потенціального квантово–механічного бар’єра. Звернуто увагу на особливість ефекта тунелювання хвиль. Отримано аналітичні вирази для коефіцієнта відбиття від несиметричного бар’єра традиційним і імпедансним методами. Продемонстровано ідентичність виразів. Отримано формули для коефіцієнта проходження в режимі тунелювання та умови безвідбивного резонансного та нерезонансного надбар’єрного проходження. Приведено характеристики коефіцієнтів проходження в режимі тунелювання та надбар’єрного проходження.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-04-10 21:11:48
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/752
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 56 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/758
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"140620 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Resonance filtration by two-phase resonators
Vodolazka, M. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://kivra.kpi.ua/?p=179 http://orcid.org/0000-0001-8965-3523
Tolstenkova, A. P.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://kivra.kpi.ua/?p=199 http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Запропоновано резонатори на основі відбивачів з протифазними коефіцієнтами відбиття, названі в роботі двофазними. Розглянуто характеристики проходження двофазних резонаторів та традиційних однофазних. Для порівняння добротностей резонаторів та з’ясування причин зміщення характеристики двофазного резонатора проаналізовано частотні характеристики відбивачів резонаторів. З метою компенсації зміщення запропоновано корекцію структури двофазного резонатора. Показано, що при однакових розмірах і діапазоні імпедансів добротність двофазного резонатора в залежності від значення імпедансу в 1,25…3 рази вища у порівнянні з однофазним.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-06-28 17:29:59
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/758
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 57 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/770
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"141130 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Tunnel Diode Macro-model in the Electronic Circuits Modeling Systems
Zinkowskiy, J. F.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Koval, A. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
В роботі розглянута та досліджена схема макромоделі тунельного діода. Отримані рівняння для розрахунку параметрів елементів макромоделей тунельних діодів. Наведені результати моделювання генератора на макромоделі тунельного діода типу АИ301Г.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-12-26 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/770
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 59 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/785
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"141003 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Input impedance characteristics of double barrier structures
Mikolaychik, O. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Vodolazka, M. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-8965-3523
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
В статті досліджено особливості вхідних імпедансних характеристик двобар’єрних структур. Розглянуто модель двобар’єрної структури у вигляді двох імпедансних δ-бар’єрів у квантово-механічному, електромагнітному та акустичному середовищах. Отримано аналітичні вирази для вхідного імпедансу. Встановлено та проаналізовано імпедансні умови резонансного проходження, у тому числі резонансного тунелювання, хвиль.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-09-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/785
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 58 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/790
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"140630 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Generators of the auxiliary signals based on the Josephson junctions
Kychak, V. M.
Vinnytsia National Technical University, Vinnitsa http://orcid.org/0000-0001-7013-3261
Huz, M. D.
Vinnytsia National Technical University, Vinnitsa
Kychak, V. V.
Vinnytsia National Technical University, Vinnitsa
Verheliuk, A. V.
Vinnytsia National Technical University, Vinnitsa
Отримано аналітичний вираз для розрахунку залежності миттєвих значень напруги від параметрів еквівалентної схеми резистивнозашунтованого переходу Джозефсона. Досліджена залежність періоду коливань від параметрів елементів еквівалентної схеми та здійснено порівняння його значень з періодом вихідної напруги генератора на базі трьох переходів Джозефсона. Їх співвідношення свідчить про наявність синхронізації, яка приводить до зменшення ширини лінії генерації та збільшення вихідної напруги.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-06-28 17:29:59
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/790
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 57 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/818
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"140930 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Research of magnetic properties nonmagnetized high-frequency ferrite in a wide frequency band
Vountesmery, Vol. S.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-6306-4771
Maksymchuk, T. M.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Розглянуто експериментальний метод дослідження дійсної та уявної частини магнітної проникності та дійсної частини ефективної магнітної проникності ненамагніченого високочастотного ферита в широкій смузі частот за одну установку. Представлені графіки залежності від резонансної частоти. Показано, що для вибору необхідного діапазону частот, необхідно враховувати як значення μ', так і μ'', яке відповідає за втрати електромагнітної енергії в феритовому пристрої.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-09-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/818
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 58 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/830
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"141222 2014 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Comparative analysis of the crystal-like and traditional microstrip structures efficiency
Nazarko, A. I.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-7886-8956
Проаналізовано обмеження ефективності традиційних мікросмужкових структур. Порівняно ефективність електромагнітних кристалів (ЕК) на основі запропонованих неоднорідностей з традиційними рішеннями на основі мікросмужкової лінії. Показано, що з використанням тривимірних неоднорідностей в структурі ЕК, площа зменшуються на 40%. На прикладі вузькосмугового фільтра порівняно ефективність запропонованих тривимірних низькоімпедансних ЕК-неоднорідностей зі сторони сигнального провідника з одновимірними неоднорідностями традиційної мікросмужкової лінії, показано, що ширина фільтра зменшується вдвічі. Комп’ютерне моделювання зроблено в середовищі CST Microwave Studio.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2014-12-26 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/830
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 59 (2014)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/954
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"150330 2015 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Impedance models of double well structures
Gindikina, M. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-9179-8713
Vodolazka, M. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-8965-3523
Adamenko, Yu. F.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0003-0452-6301
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Імпедансні моделі двоямних структур. Розроблено імпедансні моделі двоямних структур на основі δ-неоднорідностей та прямокутного потенціалу. Розглянуто аналогію двоямної структури та зв’язаних коливальних контурів. Отримано аналітичні вирази для вхідного імпедансу і власних значень двоямних структур. Показано, що характеристики двоямних структур зі скінченним потенціалом та на основі δ-неоднорідностей добре узгоджуються. Досліджено залежності власних значень від параметрів структур.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2015-03-30 09:07:23
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/954
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 60 (2015)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1069
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"150930 2015 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Semiconductor superlattice zone diagram formation
Khatian, D. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
Gindikina, M. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-9179-8713
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Досліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених напівпровідникових надґрат (НҐ). Взаємним порівняння залежностей коефіцієнта відбиття обмежених НҐ і активної складової вхідного імпедансу необмежених НҐ проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими НҐ. В результаті аналізу залежності параметрів заборонених зон обмежених НҐ від кількості бар’єрів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених НҐ до параметрів зонної діаграми необмежених НҐ.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2015-09-30 12:15:31
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1069
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 62 (2015)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1099
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"151230 2015 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Zone diagram formation of photon and phonon crystals
Hindikina, M. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0001-9179-8713
Zinher, Ya. L.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Досліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених фотонного та фононного кристалів (Ф(н)К). Взаємним порівнянням залежностей коефіцієнта відбиття обмежених Ф(н)К і активної складової вхідного імпедансу необмежених Ф(н)К проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими Ф(н)К. В результаті аналізу залежності параме-трів заборонених зон обмежених Ф(н)К від кількості шарів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених Ф(н)К до параметрів зонної діаграми необмежених Ф(н)К.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2015-12-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1099
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 63 (2015)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1157
2024-03-29T12:44:18Z
radiotechnique:microelectronics
"151230 2015 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Criteria of impedance inhomogeneities approaching by delta-inhomogeneities
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Shulha, A. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-6884-6518
Розглянуто особливості вхідного імпедансу імпедансних δ-неоднорідностей в квантово-механічному, електромагнітному та акустичному сере-довищах. На основі аналізу вхідних характеристик імпедансних неоднорідностей скін-ченних розмірів і δ-неоднорідностей встановлено критерії наближення неоднорідностей скінченних розмірів δ-неоднорідностями. Похибка наближення складових вхідного імпе-дансу скінченних неоднорідностей знаходиться в межах приблизно 30%, а коефіцієнта відбиття ― 15%.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2015-12-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1157
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 63 (2015)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1335
2016-12-30T01:34:17Z
radiotechnique:microelectronics
"161230 2016 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Suppression of bulk waves in surface acoustic wave filter
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Nepochatykh, Yu. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8801-1892
Наведений огляд способів подавлення паразитних об’ємних акустичних хвиль (ОАХ) у фільтрах на поверхневих акустичних хвилях (ПАХ). Найефективніший з традиційних способів подавлює ОАХ до рівня −65 дБ, але механічно ослаблює звукопровід фільтра. Перевірено ефективність запропонованого авторами способу подавлення ОАХ за допомогою хвильової неоднорідності спеціальної форми у вузькосмуговому фільтрі на ПАХ з гранично високим рівнем позасмугового подавлення. Досліджено залежність відносного рівня подавлення паразитних повільних квазизсувних ОАХ від глибини хвильової неоднорідності у вигляді замкнутої канавки, прорізаної у нижній поверхні звукопроводу фільтра. Показано, що така хвильова неоднорідність дозволяє подавити повільні квазизсувні ОАХ до рівня −70 дБ, що підтверджує високу ефективність запропонованого способу подавлення ОАХ.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2016-12-30 01:34:17
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1335
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 67 (2016)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1340
2016-10-12T19:34:56Z
radiotechnique:microelectronics
"160930 2016 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures
Dvornikov, О. V.
Public Joint Stock Company "MNIPI" http://www.hep.by/dvornikov-oleg/ https://orcid.org/0000-0002-6632-429X
Tchekhovski, V. А.
Institute for Nuclear Problems BSU
Dziatlau, V. L.
Public Joint Stock Company "MNIPI"
Prokopenko, N. N.
Don State Technical University http://orcid.org/0000-0001-8291-1753
The current-voltage curves (CVC) of n-p-n SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) are considered within the temperature range from minus -195˚С up to 25˚С, produced on the SGB25V technology of IHP. The experimental setup, the measurement technique and the connection features of transistors for elimination of the self-excitation are described. The special attention is paid to the temperature dependences of the static base current gain βF in the common-emitter configuration (CEC) and to the output CVC characteristics of transistor in the CEC.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2016-09-30 11:52:12
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1340
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 66 (2016)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1341
2016-12-30T01:34:17Z
radiotechnique:microelectronics
"161230 2016 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Сriteria of crystal-like structures approaching by impedance delta-inhomogeneities lattices
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Liashok, A. V.
National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev http://orcid.org/0000-0002-6884-6518
Розглянуто особливості залежностей активної й реактивної складових вхідного імпедансу решіток імпедансних δ-неоднорідностей у квантово-механічному, електромагнітному та акустичному середовищах. На основі порівняльного аналізу залежностей вхідного імпедансу необмежених і обмежених кристалоподібних структур (КС) та решіток імпедансних δ-неоднорідностей встановлено критерії наближення КС решітками імпедансних δ-неоднорідностей. Ці критерії обмежують ширину неоднорідності КС однією четвертою довжини хвилі, а нормований хвильовий імпеданс електромагнітних та акустичних неоднорідностей значеннями не менше 3 або не більше 1/3.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2016-12-30 01:34:17
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1341
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 67 (2016)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1402
2018-01-11T15:55:41Z
radiotechnique:microelectronics
"171230 2017 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Combined Electromagnetocrystalline Inhomogeneities
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Zinher, Ya. L.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
Popsui, V. I.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" https://orcid.org/0000-0002-5637-1594
Запропоновано конструкцiї сумiщених неоднорiдностей електромагнiтних кристалiв (ЕК). Як модель першого наближення для сумiщених ЕК-неоднорiдностей розглянуто одновимiрну модель, яка дозволила отримати аналiтичнi результати. Виконано порiвняння ефективностi поодиноких та сумiщених ЕК-неоднорiдностей за допомогою одновимiрної та тривимiрної моделей. Тривимiрне моделювання виконано в пограмному пакетi CST Microwave Studio. Приведено експериментальнi та розрахунковi характеристики ЕК на основi поодиноких та сумiщених неоднорiдностей.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2017-12-30 13:14:12
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1402
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 71 (2017)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1404
2017-07-01T07:42:11Z
radiotechnique:microelectronics
"170701 2017 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
The delta-models of reactive elements and low-pass filters
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Shulha, A. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-6884-6518
Zinher, Ya. L.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
Запропоновано моделі реактивних радіоелементів, названі δ-моделями, які на відміну від традиційних не мають частотних обмежень. Виконано порівняння характеристик традиційних моделей реактивних радіоелементів та δ-моделей. Представлено δ-моделі фільтрів нижніх частот. Виходячи з δ-моделі показана можливість підвищення вибірності фільтрів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2017-06-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1404
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 69 (2017)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1411
2017-10-07T11:35:43Z
radiotechnique:microelectronics
"170930 2017 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Results comparison of microwave lowpass filters three- and one-dimensional modeling
Zinher, Ya. L.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
Adamenko, Yu. F.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0003-0452-6301
Adamenko, V. O.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0003-0601-8394
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Виконано порівняння результатів три- та одновимірного моделювання мікросмужкових фільтрів нижніх частот традиційних конструкцій та на основі тривимірних електромагнітнокристалічних неоднорідностей. Одновимірна модель являє собою неоднорідну лінію передачі з еквівалентними параметрами. Розглянуто фільтри на основі різноімпедансних секцій мікросмужкової лінії та з ємнісним шлейфом. Обґрунтовано можливість використання одновимірної моделі як моделі першого наближення.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2017-09-30 22:55:37
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1411
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 70 (2017)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1412
2017-12-30T13:14:12Z
radiotechnique:microelectronics
"171230 2017 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors
Dvornikov, O. V.
Public Joint Stock Company "MNIPI" https://orcid.org/0000-0002-6632-429X
Dziatlau, V. L.
Public Joint Stock Company "MNIPI"
Prokopenko, N. N.
Don State Technical University; Institute for Design Problems in Microelectronics of RAS http://orcid.org/0000-0001-8291-1753
Tchekhovski, V. A.
Institute for Nuclear Problems BSU
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static base current gain in the common-emitter (CE) configuration on emitter current, the output characteristic in the CE configuration.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2017-12-30 13:14:12
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1412
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 71 (2017)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1579
2019-09-30T22:06:57Z
radiotechnique:microelectronics
"190930 2019 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Implementation of Reading Electronics of Silicone Photomultipliers on the Array Chip МН2ХА030
Dvornikov, O. V.
Public Joint Stock Company "MNIPI" https://orcid.org/0000-0002-6632-429X
Tchekhovski, V. A.
Institute for Nuclear Problems BSU
Prokopenko, N. N.
Don State Technical University; Institute for Design Problems in Microelectronics of RAS http://orcid.org/0000-0001-8291-1753
Galkin , Ya. D.
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
Kunts, A. V.
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
Bugakova , A. V.
Don State Technical University
The implementation of a charge-sensitive amplifier (CSA) based on the МН2ХА030 array chip (AC) with an adjustable conversion factor for processing signals of silicone photomultipliers (SPM) is considered. The developed CSA, named ADPreampl3, contains a fast and slow signal circuit (SC). The fast SC includes a transresistive amplifier-shaper with a base-level adjustment circuit, and a slow SC includes an CSA, a shaper, and a base-level restorer (BLR) circuit. The main advantage of ADPreampl3 amplifier when used in multichannel integrated circuits is the minimum number of elements used, due to the use of the same stages to perform different functions. To correctly simulate the operation of ADPreampl3, taking into account the features of the input signal source, a simplified electrical equivalent circuit of the SPM, applicable to both circuit simulation and measurements, is proposed. Circuit simulation of ADPreampl3 using the proposed equivalent circuit of SPM with a supply voltage of ±3 V, made possible to establish that: fast SC is characterized by the bandwidth up to 60 MHz and allows adjusting the base level in the range from -0.1 V to 0.2 V. Thus, it is possible to compensate the technological variation of the output voltage of the fast SC or set the required switching threshold of the comparator connected to the output of the fast SC; slow SC allows you to adjust the base level in the range from -1 V to 1 V and smoothly change the amplitude of the output signal, including phase inversion, when the control voltage changes from -1 V to 1 V; the BLR circuit provides a constant shape of the output voltage pulse with a DC input current of ADPreampl3, varying in the range of ±190 μA, and a negligible change of the base level at ±20% of the resistance variation of integrated resistors. ADPreampl3 amplifier enables the transition to the ``sleep'' mode with a decrease in current consumption up to 10 μA, maintains operability at an absorbed dose of gamma radiation up to 500 krad and the effect of the integral neutron fluence up to 1013 n/cm2 and can be used in multi-channel signal processing chips of SPM.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2019-09-30 20:37:29
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1579
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 78 (2019)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1580
2019-09-30T22:07:51Z
radiotechnique:microelectronics
"190930 2019 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Research of concomitant shock-vibration noise of a piezoelectric motor in the mode of micro and nano speed
Petrenko, S. F.
Lileia Ltd https://orcid.org/0000-0002-3588-9378
Omelian, A. V.
Lileia Ltd https://orcid.org/0000-0001-5481-6871
Lysenko, O. M.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" https://orcid.org/0000-0003-1051-1149
Antoniuk, V. S.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" https://orcid.org/0000-0003-0690-2411
В роботі розглянуті методи керування швидкістю п’єзоелектричних двигунів в мікро- та нанодіапазонах. На основі фізичних принципів роботи п’єзоелектричного двигуна, з врахуванням специфіки сигналів керування і зворотнього зв`язку, досліджено ударно-вібраційні ефекти лінійного п’єзоелектричного двигуна квазірезонансного типу при різних режимах керування швидкістю в діапазоні 0,1мкм/с…10мм/с. Описано конструкцію та принцип роботи п’єзоелектричного двигуна класу LPM-5 фірми DTI (який широко застосовується на практиці і має типову конструкцію для лінійних типів двигунів), а також стенд для дослідження вібрацій при роботі двигуна в різних діапазонах швидкостей. Показано, що механічна ударна деформація формується при зупинці двигуна (при знятті збудження). Це вказує на те, що ударне перевантаження при самогальмуванні двигуна вище, ніж при розгоні, тобто двигун розганяється повільніше, ніж гальмує. З метою зменшення ударно-вібраційного ефекту, вся подальша методологія керування швидкістю будувалася за принципом або повного виключення ділянок розгону і гальмування шляхом безперервного керування, або їх максимального “згладжування“ при імпульсному керуванні. Запропоновані алгоритми керування швидкістю забезпечили зменшення в 2…10 разів ударно-вібраційного ефекту порівняно з широтно-імпульсною модуляцією. Встановлено, що в мікродіапазоні швидкостей найбільш ефективним є комбіновані алгоритми, які поєднують в собі як елементи безперервного керування шляхом сканування по частотній характеристиці двигуна, так і імпульсного — шляхом внутрішньої модуляції частоти збудження. Показано, що найбільш ефективним керуванням в нанодіапазоні є частотне керування при фіксованій тривалості імпульсу керування – нанокроку двигуна. Отримані результати дозволяють забезпечити діапазон керування швидкістю (5 порядків) лінійного п’єзоелектричного двигуна з врахуванням його умов експлуатації в мікроманіпуляційній системі, а також дають можливості для використання лінійних п`єзоелектричних двигунів квазірезонансного типу в робототехнічних і маніпуляційних системах мікро- і нанодіапазону і подальшого вдосконалення з точки зору мініатюризації і підвищення точності.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2019-09-30 20:37:29
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1580
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 78 (2019)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1626
2020-04-01T08:08:16Z
radiotechnique:microelectronics
"200330 2020 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Radiation-Resistant Memory Device Based on Chalcogenide Glassy Semiconductor
Kychak , V. M.
Slobodyan , I. V.
Vovk , V. L.
Запропоновано структуру комірки пам’яті, в якій як елемент розв’язки, використовується тонкоплівковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткі на базі аморфного напівпровідника (АН), а як перемикаючий елемент - плівка халькогенідного склоподібного напівпровідника. Розроблена фізична модель комірки пам’яті. Проведено дослідження залежності параметрів транзистора та комірки пам’яті від дози опромінення потоком нейтронів та – квантів. Показано, що при зміні дози опромінення потоком нейтронів крутість стік-заслінної характеристики (СЗХ) зменшується на 10% при дозах порядку 1015 н/с, в той же час коефіцієнт передачі біполярного n-p-n транзистора зменшується на 20% вже при дозах 1013 н/c, що свідчить про значне підвищення радіаційної стійкості запропонованої комірки пам’яті. При опроміненні – квантами в діапазоні до 2,6 Мрад крутість СЗХ запропонованої структури змінюється лише на 10%. У випадку використання, як елемента розв’язки - ТПТ з ізольованим заслоном, крутість СЗХ зменшується на 50%. Показано, що струм запису інформації запропонованої структури при зміні дози потоку – квантів до 2,6 Мрад змінюється приблизно на 10%, в той же час, у випадку застосування ТПТ з ізольованим заслоном, струм запису інформації змінюється на 50%. Проведене дослідження залежності струму заслону від дози опромінення – квантами. При зміні дози опромінення від 0 до 2,6 Мрад струм заслону змінюється лише на 10%, що свідчить про високу стійкість запропонованої структури до дії проникної радіації.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2020-03-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1626
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 80 (2020)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1654
2020-09-30T18:57:56Z
radiotechnique:microelectronics
"200930 2020 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Optimization of Microstrip Lowpass Filters with Three-Dimensional Stubs
Nelin, E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Zinher, Ya. L.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
Popsui, V. I.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" https://orcid.org/0000-0002-5637-1594
Nepochatykh, Yu. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0002-8801-1892
Фільтри нижніх частот (ФНЧ) застосовують для подавлення небажаних гармонік та паразитних сигналів. У різноманітних радіоелектронних системах широке використання знайшли мікросмужкові ФНЧ. Нові, більш жорсткі вимоги до систем вимагають підвищення вибірковості ФНЧ. У статті розглянуто особливості конструкції мікросмужкового ФНЧ п’ятого порядку з тривимірними (3D) шлейфами: з’єднання шлейфа з сигнальним провідником малим контактним майданчиком та розміщення шлейфів по різні боки сигнального провідника. Вибір глибини отворів 3D шлейфів та розмірів контактних майданчиків дозволяє оптимізувати крутість та ширину смуги подавлення амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) фільтра. Виконано оптимізацію ФНЧ з 3D шлейфами, наведено результати експериментальних досліджень 3D шлейфа та ФНЧ. Експериментальні АЧХ добре узгоджуються з розрахунковими. Оптимізований ФНЧ має більш круту АЧХ, ніж ФНЧ на основі зосереджених елементів. Розглянуто пояснення такого співвідношення. Розрахунки виконано в програмному пакеті 3D моделювання CST Microwave Studio. Матеріал основи ФНЧ — Rogers RO3010.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2020-09-30 18:57:56
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1654
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 82 (2020)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1701
2021-03-31T18:26:45Z
radiotechnique:microelectronics
"210330 2021 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Fano Resonance in Transmission Line
Nelin , E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Nepochatykh , Yu. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv http://orcid.org/0000-0002-8801-1892
В статті теоретично обґрунтовано можливість формування асиметричної резонансної характеристики Фaно в довгій лінії (ДЛ) і підтверджено підвищення добротності та зменшення розмірів ДЛ з резонансом Фано, як порівняти з класичним півхвильовим резонатором. Резонанс Фано зумовлений двохвильовою інтерференцією і виникає в структурах різної хвильової природи. Унікальність цього резонансу зумовлена поєднанням у ньому повного проходження та повного відбиття з різким переходом між ними. Для резонансу Фано характерна висока добротність. Для електромагнітних хвиль оптичного діапазону резонанс Фано розглянуто в багатьох публікаціях. Резонансу Фано в радіодіапазоні присвячено лише декілька робіт. В статті виконано порівняння асиметричної резонансної характеристики Фано та симетричної універсальної резонансної кривої. Симетричну резонансну криву визначає один параметр — добротність, а характеристику Фано — два: добротність і параметр асиметрії. Показано, що характеристику Фано можна описати виразом, форма якого така ж, як і для симетричної універсальної резонансної кривої. Встановлено умови, при яких у смузі пропускання ці характеристики близькі. Проаналізовано імпедансні умови повного відбиття, необхідного для формування нуля характеристики Фано. Теоретично обґрунтовано можливість резонансу Фано в довгих лініях (ДЛ) зі шлейфами. Розглянуто структури на основі розімкнутого або короткозамкнутого шлейфа та відрізка ДЛ, а також на основі двох розімкнутих або розімкнутого й короткозамкнутого шлейфів. Виконано математичний аналіз частотних характеристик структур. Наведено параметри ДЛ та розраховані частотні характеристики коефіцієнта проходження ДЛ. Виконано порівняння отриманих частотних характеристик з аналітичною характеристикою Фано, а також з характеристикою класичного півхвильового резонатора. Структури на основі ДЛ з характеристикою Фано дозволяють помітно підвищити добротність, подавити відгуки на найближчих гармоніках та зменшити розміри, як порівняти з півхвильовим резонатором. Продемонстровано можливість реалізації надвузькосмугових частотних характеристик структурою на основі розімкнутого й короткозамкнутого шлейфів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2021-03-31 18:26:45
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1701
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 84 (2021)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1720
2021-06-30T22:35:18Z
radiotechnique:microelectronics
"210630 2021 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
An Empirical Model of the Silicon Bandgap Dependence on the External Pressure
Zylevich, M. O.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute” https://orcid.org/0000-0003-1646-0557
Kucherniuk, P. V.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute" http://orcid.org/0000-0001-6381-0156
Одним з факторів, що впливають на електричні характеристики і параметри інтегральних мікросхем, є зовнішній тиск, який найчастіше виникає в результаті процесів розшарування в корпусі мікросхеми. Під дією тиску ширина забороненої зони напівпровідника змінюється, що призводить до зміни електричних параметрів активних і пасивних компонентів ІМС. Сучасні моделі залежності ширини забороненої зони від тиску дуже спрощені, не забезпечують точності моделювання в широкому діапазоні значень тиску, що не дозволяє розробити адекватні математичні моделі напівпровідникових компонентів для подальшого вивчення впливу тиску на електричні характеристики і параметри інтегральних схем. Для побудови більш точної математичної моделі залежності ширини забороненої зони кремнію від зовнішнього тиску було експериментально досліджено вплив тиску на електричні параметри напівпровідникового резистора і діода в інтегральній схемі. Вибір пасивних і активних компонентів для експериментальних досліджень дозволив виключити вплив особливостей технологічних процесів виготовлення і отримати більш достовірні дані для подальшої побудови апроксимаційної моделі. Дослідження проводилися в діапазоні тисків від 0 до 25 ГПа. Виміри проводилися на спеціально сконструйованому вимірювальному стенді. Стенд дозволяє проводити високоточні вимірювання опору інтегральних резисторів, ВАХ-діодів і транзисторів під дією регульованого тиску, що прикладається до поверхні пасивного або активного компонента, реалізованого на кристалі ІС. Похибка вимірювання цього стенда визначається похибкою мультиметра і становить +/- 0,001 В за напругою і +/- 0,0001 А по струму. Датчик зусилля вносить похибка в +/- 0,025 Н. Отримано вирази для визначення значення ширини забороненої зони через експериментальні значення опору резистора і струму через діод при нульовому тиску і певною величиною тиску, що дозволило побудувати емпіричну модель залежності ширини забороненої зони кремнію від тиску. Показано, що класична лінійна модель не відображає реального нелінійного характеру такої залежності. Запропоновано уточнюючий нелінійний коефіцієнт і проведена серія обчислювальних експериментів для вибору найбільш оптимального методу апроксимації експериментальних даних. В обчислювальному експерименті були досліджені такі методи апроксимації, як степеневий, логарифмічний, гіперболічний і експонентний. Всі розрахунки проводилися з використанням MATLAB R2016a. Для підвищення точності апроксимації в розрахунках використовувалося 25 експериментальних точок. Найменша відносна похибка апроксимації отримана для гіперболічної апроксимації. В рамках гіперболічного наближення побудована емпірична модель залежності ширини забороненої зони кремнію від зовнішнього тиску, похибка якої не перевищує 2% в діапазоні тисків від 0 до 25 ГПа. На основі запропонованої емпіричної моделі залежності ширини забороненої зони кремнію від тиску побудовані емпіричні моделі відповідних залежностей опору інтегрального резистора і струму через інтегральний діод. Запропоновано корегуючі коефіцієнти, які дозволили знизити відносну похибка моделі по опору до 11%, по струму до 25%. Отримана точність моделей дозволяє використовувати їх для подальших досліджень впливу тиску на електричні характеристики інтегральних.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2021-06-30 22:35:18
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1720
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1722
2021-06-30T22:35:18Z
radiotechnique:microelectronics
"210630 2021 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
The Experimental Study of the Cerium Dioxide - Silicon Interface of MIS Structures
Korolevych, L. M.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv https://orcid.org/0000-0002-4006-280X
Borisov, A. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv https://orcid.org/0000-0003-4553-3591
Voronko , A. O.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv https://orcid.org/0000-0003-2899-963X
The article is devoted to the actual task of studying a dielectric, which is an alternative to silicon dioxide in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. In metal-silicon dioxide-silicon structures, upon going to nanosize, the thickness of the dielectric film decreases so much that it becomes tunnel-transparent and its breakdown voltage decreases. These phenomena can be eliminated by replacing silicon dioxide with a dielectric with a higher dielectric constant. These dielectrics primarily include oxides of transition and rare-earth metals. The parameters and characteristics of the MIS structure are determined by various factors, but the properties of the dielectric and the dielectric-semiconductor interface play a special role. In previous works of the authors, it was theoretically proved that cerium dioxide from a number of candidate dielectrics should have the best quality of the interface with silicon. This work is devoted to a study aimed at determining the flat-band voltage and capacitance of MIS structures and at assessing the quality of the cerium dioxide-silicon interface. The study is carried out by the method of capacitance-voltage characteristics. For this, the high-frequency capacitance-voltage characteristics of the aluminum – cerium dioxide – silicon structures were measured at different temperatures. The capacity of the space charge region (SCR) in the enrichment and weak inversion modes of the near-surface layer of a semiconductoris considered. It is shown that the dependence of this capacitance in the (–2) degree on the voltage at the metal electrode cs-2(VG) is linear. The intersection of this line with the abscissa axis makes it possible to determine the flat-band voltage. The slope tangent of this linear dependence makes it possible to determine the energy density of the charge at the dielectric–semiconductor interface. It is shown that the charge density at the cerium dioxide – silicon interface corresponds to the minimum values of the charge density at the silicon dioxide – silicon interface. The absence of a shift in the capacitance-voltage characteristics of the structures under study with a change in temperature indicates the stability of the charge at the cerium dioxide - silicon interface.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2021-06-30 22:35:18
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1752
2023-03-31T21:31:01Z
radiotechnique:microelectronics
"230330 2023 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Radiation Resistance of Test npn IC Transistors with Dielectric Insulation, Manufactured on Silicon, Isovalently Doped with Germanium (SiGe)
Bytkin , S. V.
Engineering Institute of Zaporizhzhia National University, Zaporizhzhia, Ukraine https://orcid.org/0000-0003-3583-3371
Krytskaja , T. V.
Engineering Institute of Zaporizhzhia National University, Zaporizhzhia, Ukraine https://orcid.org/0000-0001-6933-0460
Показано, что характер радиационной деградации h21E (Φα) тестовых npn структур, изготовленных по технологии «кремний с диэлектрической изоляцией» (КСДИ) на CZ n-Si <Р, Ge> с различной концентрацией германия при α-облучении ИС определяется как шириной базы, так и концентрацией легирующей изовалентной примеси. «Узкая» база (толщина базы ≤ 0,25мкм) является структурно неустойчивой системой. «Широкая» база (толщина базы ≥ 0,35мкм) является структурно устойчивой системой. Радиационная стойкость при α-облучении структурно неустойчивой системы может быть повышена примерно в 1,6 раза только при определённых условиях: NGe = 1,2·1020 см-3, 6·1011 ≤ Фα ≤ 1014 см-2. Радиационная стойкость при этом виде облучения устойчивой системы может быть повышена в 3 раза в более широком диапазоне доз облучения, 1·1010 ≤ Фα ≤ 1014 см-2 и при более низкой концентрации германия в исходной пластине (NGe = 7,5·1019 см-3).
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2023-03-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1752
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 91 (2023)
rus
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1782
2022-10-01T08:08:55Z
radiotechnique:microelectronics
"220930 2022 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Improving Parameters of Resonator on Open- and Short-Circuited Stubs
Nelin , E. A.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Nepochatykh , Yu. V.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-8801-1892
Розглянуто особливості частотної залежності еквівалентної ємності розімкнутого шлейфа та амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) резонатора на основі розімкнутого та короткозамкнутого шлейфів. Частотна залежність еквівалентної ємності розімкнутого шлейфа призводить до значного її збільшення за резонансу. У результаті досягається висока добротність. Однак, такій ємності відповідає мала індуктивність і, відповідно, неприйнятно мала довжина короткозамкнутого шлейфа. Недолік традиційного резонатора ще й у низькому значенні характеристичного імпедансу шлейфів. У статті запропоновано два конструктивних рішення, що дають змогу подолати ці недоліки. Показано, що на відміну від традиційного рішення з однаковими імпедансами шлейфів, у разі різноімпедансних шлейфів (високоімпедасного розімкнутого й низькоімпедасного короткозамкнутого) короткозамкнутий шлейф помітно довший. Наведено АЧХ двох варіантів резонатора на основі різноімпедансних шлейфів. Варіанти відрізняються значеннями характеристичних імпедансів шлейфів. Значення характеристичних імпедансів шлейфів першого варіанта задовольняють межам значень для двовимірних мікросмужкових елементів, а другого варіанта — тривимірних. У другому варіанті короткозамкнутий шлейф довше й більш високе подавлення сигналів у смугах подавлення. Як порівняти з традиційним рішенням, довжина короткозамкнутого шлейфа у першому і другому варіантах більша у 2,2 і 3,2 раза відповідно. Друге з запропонованих рішень — введення в конструкцію резонатора відрізка основної лінії передачі. Показано, що у випадку високоімпедасного відрізка добротність резонатора збільшується. Наведено АЧХ резонатора з чвертьхвильовим та півхвильовим відрізками, що підвищують добротність у 3 та 4 рази, як порівняти з випадком без відрізків. Отримано формули для добротності, що дають змогу у першому наближенні вибрати необхідні значення конструктивних параметрів резонатора запропонованої конструкції. Наведено АЧХ резонатора на основі обох запропонованих рішень та виконано порівняння конструктивних параметрів запропонованого і традиційного резонаторів.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2022-09-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1782
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 89 (2022)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1882
2022-12-31T19:36:54Z
radiotechnique:microelectronics
"221230 2022 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Bandpass Filters on Orthogonal Resonators
Nelin , E. A.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Nepochatykh , Yu. V.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute” https://orcid.org/0000-0002-8801-1892
Частотні фільтри, особливо смугові, необхідні для радіотехнічних систем різного призначення. Бурхливий розвиток радіотехнічних, зокрема телекомунікаційних, систем зумовлює постійне посилення вимог до смугових фільтрів, а це, зі свого боку, — пошук нових, більш ефективних конструктивних рішень. Тенденції останніх років ґрунтуються на підвищенні крутості амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) фільтра формуванням нулів поблизу смуги пропускання. Ці нулі зумовлені додатковими зв’язками між елементами фільтра або, за безпосереднього зв’язку, — шлейфами. У досліджуваних конструкціях як базові структури смугового фільтра використовують різні модифікації поодиноких резонаторів. У статті як базову запропоновано структуру на основі двох резонаторів, розташованих ортогонально. Подовжній (відносно напрямку поширення хвилі) резонатор утворено півхвильовим відрізком довгої лінії, а поперечний — двома розімкнутими або розімкнутим та короткозамкнутим шлейфами. Для моделювання використано модель довгої лінії без втрат. Досліджено АЧХ структури на основі ортогональних резонаторів (ОР). Зі зменшенням характеристичного імпедансу подовжнього резонатора смуга пропускання розширюється. Оскільки нулі АЧХ поблизу смуги пропускання зафіксовані шлейфами, у цьому випадку зростає прямокутність характеристики. Для формування високопрямокутної АЧХ фільтра достатньо 2–3 структур. Введення двох додаткових чвертьхвильових відрізків основної лінії, що прилягають до ОР-структури, призводить до зниження рівня бокових пелюсток АЧХ. Параметри розглянутої ОР-структури з відрізками достатні для її застосування як простого фільтра. Досліджено АЧХ фільтрів на основі двох та трьох зв’язаних ОР-структур. Зв’язок виконано чвертьхвильовим відрізком основної лінії. Параметри АЧХ фільтрів відповідають еліптичній характеристиці відповідно шостого і восьмого порядків. Розглянуто фільтр на основі двох зв’язаних ОР-структур з розімкнутим та короткозамкнутим шлейфами. Амплітудно-частотна характеристика такого фільтра має розширені смуги подавлення.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2022-12-30 00:00:00
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1882
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 90 (2022)
ukr
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1936
2023-09-30T08:14:01Z
radiotechnique:microelectronics
"230930 2023 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Mathematical Modeling of Piezoelectric Ceramic Ring Transducers for Functional Instrumentation
Bazilo, C. V.
Cherkasy State Technological University, Cherkasy, Ukraine https://pmkt.chdtu.edu.ua/staff/bazilo-kostyantyn-viktorovych/ https://orcid.org/0000-0002-1571-401X
Anriienko , V. O.
Cherkasy State Technological University, Cherkasy, Ukraine https://knsa.chdtu.edu.ua/andriienko-volodymyr-oleksandrovych https://orcid.org/0000-0003-3316-8101
Tuz, V. V.
Cherkasy State Technological University, Cherkasy, Ukraine https://pmkt.chdtu.edu.ua/staff/tuz-vyacheslav-valerijovych/ https://orcid.org/0000-0003-2969-5080
Usyk, L. M.
Cherkasy State Technological University, Cherkasy, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-3306-2641
Bondarenko, Yu. Yu.
State Scientific Research Institute of Armament and Military Equipment Testing and Certification, Cherkasy, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-5179-8329
The article reviews a mathematical model of piezoelectric ceramic ring transducers which are functional, highly effective, and applicable as components of functional instrumentation devices, such as sensors, automatic control devices, measuring devices, data collection devices, electronic control systems, etc. The main distinctive characteristic of the mathematical model developed in this study is the ability to establish analytical dependencies for determining such electromechanical characteristics of a piezoceramic ring as: electrical impedance, quality factor, elastic modulus, piezo modulus, dielectric constant, as well as the amplitude values of the electric charge and electric current on the electroded surfaces of the piezoceramic ring, thus significantly expanding the range of these products and determine their operational characteristics at the design stage.
The key research question of this study is frequency dependence of the change in electrical impedance for a ring made of PZT-type (plumbum zirconate titanate) piezoelectric ceramics, which significantly depends on the values of mechanical and geometric parameters, the wave number of elastic oscillations, as well as the corresponding Bessel and Neumann functions of the first order, according to which a sharp decrease in the electrical impedance from 4900 to 10 Ohms is observed when the quasi-wave number increases from 0 to 2. Also, this study has established a high degree of convergence between the theoretically obtained and experimentally determined electrical impedance modules for ring transducers made of PZT-type piezoelectric ceramics (the discrepancy between the impedance values in these cases did not exceed 16%).
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2023-09-30 08:14:01
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1936
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 93 (2023)
eng
##submission.copyrightStatement##
oai:ojs.radap.kpi.ua:article/1945
2023-12-30T10:25:34Z
radiotechnique:microelectronics
"231230 2023 eng "
2310-0389
2310-0397
dc
Increasing Quality Factor of Two-Stub Resonator
Nelin , E. A.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, Ukraine http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Nepochatykh , Yu. V.
National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, Ukraine http://orcid.org/0000-0002-8801-1892
Розглянуто підвищення добротності двошлейфного резонатора. Більш висока добротність забезпечує поліпшення конструктивних і електричних параметрів пристроїв на основі резонатора. Традиційний шлейф двошлейфного резонатора — односекційний, утворений відрізком лінії передачі. Оскільки добротність прямо пропорційна крутості частотної залежності реактивної провідності резонатора, інше конструктивне рішення шлейфа має забезпечувати більш високу крутість частотної залежності його реактивної провідності. Проаналізовано умови порівняння реактивних характеристик шлейфів. Показано, що за заданого рівня відгуку в смугах подавлення амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) резонатора у шлейфів, реактивні характеристики яких порівнюються, мають бути однакові ємності в області низьких частот. Наведено частотні залежності реактивної провідності розімкнутих дво- та односекційного шлейфів. Двосекційний шлейф складається з двох відрізків лінії передачі з різними параметрами. Крутість залежності для двосекційного шлейфа вища, що дає змогу підвищити добротність резонатора. Підвищення крутості зростає з частотою і зі збільшенням відношення довжин одно- та двосекційного шлейфів та досягає 23%. Наведено АЧХ резонаторів з розімкнутими дво- та односекційними шлейфами за заданих параметрів АЧХ. Резонатор з двосекційними шлейфами має на 15% більшу добротність і вдвічі меншу довжину. Розглянуто резонатор з розімкнутим двосекційним і короткозамкнутим односекційним шлейфами. В АЧХ такого резонатора немає відгуків на нульовій та подвоєній частотах, але гірша крутість з боку нижніх частот і лише один нуль. Довжина резонатора в 1,8 раза менша проти резонатора з розімкнутими шлейфами. Наведено конструктивні та електричні параметри розглянутих варіантів двошлейфного резонатора. Запропоноване рішення підвищення добротності можна використати в резонаторах різної конструктивної реалізації (мікросмужкової, коаксіальної та ін.). Розвитком представленого дослідження є розгляд формування смугової характеристики такими резонаторами.
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2023-12-30 10:25:34
application/pdf
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1945
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 94 (2023)
ukr
##submission.copyrightStatement##