Mathematical modeling of the electric field in dielectric structures.

Authors

  • O. O. Sitnik National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
  • A. V. Samoilik National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
  • Ja. I. Kishenko National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2010.42.60-65

Keywords:

dielectric films, accumulated charge, the surface metallization

Abstract

Were obtained suitable for the calculation formulas, which determine the distribution of the electric field generated by the accumulated space charge in dielectric films with different ways of metallization surface.

Author Biographies

O. O. Sitnik, National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

Ситник О.О.

A. V. Samoilik, National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

Самойлік О.В.

Ja. I. Kishenko, National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

Кишенко Я.І.

References

Акишин А.И., Новиков С.С., и др. Объемная электризация диэлектрических материалов космических аппаратов. Модель космоса, 8-е изд. т.2. Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. М. 2007. с.437 -448.

Гостищев Э.А., Самойлик А.В., Ягушкин Н.И. Радиационный пробой конструкционных диэлектрических материалов космических аппаратов. В сб, ст.: Проблемы электризации высокоорбитальных космических аппаратов и разработка методов их защиты от ее воздействия. М., ЦНТИ “Поиск”, 1987, с.164.

Самойлик А.В., Дырков В.А., Кононов Б.А., Ягушкин Н.И. Защитные свойства диэлектрических экранов. В кн. Тезисы докладов IV Всесоюзной научной конференции по защите от ионизирующих излучений ядерно-технических установок, 10-12 сентября 1985, с. 84-85.

Verlan A.F., Sytnyk A.A., Abdusatarov B.B., Miraziz Sagatov. Analysis of power circuits’ dynamics using generalized state-space model. Fourth World on Intelligent Systems for industrial Automation. –Tashkent, Uzbekistan. – November 21-22. – 2006. – C. 168-176.

Верлань А.Ф., Ситник О.О., Ключка К.М. Інтегральні рівняння аналізу нестаціонарних електричних систем. Вісник Національного університету “Львівська політехніка” “Електроенергетичні та електромеханічні системи”. Львів – 2009. № 637. С.12-17.

Воробьев Г.А. О природе процессов формовки тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл. –Радиотехника и электроника, 1981, т.26, №3, с.655-656.

Вайсберг С.Э. Обратимые радиационные эффекты в полимерах. – В кН.: Радиационная химия полимеров. Под ред. В.А.Каргина. – М.: Наука,1973. – 376 с.

Петренко Л.Г., Биньков С.Б. О процессе самовосстановления электрической прочности металлизированных диэлектриков. – Электричество, 1984, №3, с. 72-74.

Downloads

How to Cite

Ситник, О., Самойлік, О. and Кишенко, Я. (2010) “Mathematical modeling of the electric field in dielectric structures.”, Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, 0(42), pp. 60-65. doi: 10.20535/RADAP.2010.42.60-65.

Issue

No. 42 (2010)

Section

Electrodynamics. Microwave devices. Antennas

License

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

  1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
  2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
  3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).