БИТКІН , С. В.; КРИТСЬКА , Т. В. Радіаційна стійкість тестових npn транзисторів ІС з діелектричною ізоляцією, виготовлених на кремнії, ізовалентно легованому германієм (SiGe). Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, [S. l.], n. 91, p. 72-78, 2023. DOI: 10.20535/RADAP.2023.91.72-78. Disponível em: https://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1752. Acesso em: 23 лип. 2024.