Fazostabilny RF attenuator on the р—і—n diods

Authors

  • A. S. Makarenko Kiev Politechnic Institute, Kiev
  • V. F. Kurinnyi Kiev Politechnic Institute, Kiev

Abstract

Considered agreed attenuator р—і—n diods low uneven phase response when you change the insertion loss is achieved by separate compensation of reactive elements diodes. Calculated characteristics.

Author Biographies

A. S. Makarenko, Kiev Politechnic Institute, Kiev

Makarenko A. S.

 

V. F. Kurinnyi, Kiev Politechnic Institute, Kiev

Kurinnyi V. F.

References

Васильев А. П., Зуйков Е. С., Кочеткова Е. И., Пылакин В. А. Аттенюатор на р-і-n - диодах с компенсацией неравномерности фазоамплитудных характеристик // Электрон. техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 12(336). С. 20-22.

Фельдштейн А. Л., Явич Л. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М. : Связь, 1971. 388 с.

Downloads

Issue

No. 25 (1988)

Section

Articles