Фазостабільний аттенюатор СВЧ на р-і-n діодах

Автор(и)

  • О. С. Макаренко Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • В. Ф. Курінний Київський політехнічний інститут, м. Київ

Анотація

Розглянуто погоджений аттенюатор на p-i-n діодах з малою нерівномірністю фазочастотной характеристики при зміні внесеного загасання, що досягається шляхом роздільної компенсації реактивних елементів діодів. Наведено розрахункові характеристики.

Біографії авторів

  • О. С. Макаренко, Київський політехнічний інститут, м. Київ

    Макаренко О. С., канд. техн. наук

     

     

  • В. Ф. Курінний, Київський політехнічний інститут, м. Київ

    Курінний В. Ф., студ.

Посилання

Васильев А. П., Зуйков Е. С., Кочеткова Е. И., Пылакин В. А. Аттенюатор на р-і-n - диодах с компенсацией неравномерности фазоамплитудных характеристик // Электрон. техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 12(336). С. 20-22.

Фельдштейн А. Л., Явич Л. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М. : Связь, 1971. 388 с.

Завантаження

Номер

№ 25 (1988)

Розділ

Articles