Технологія отримання плівок окису цинка для пристроїв на ПАВ

Автор(и)

  • І. M. Гранкін Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • Г. И. Кальна Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • В.К.  Лопушенко Київський політехнічний інститут, м. Київ

Анотація

Розглянуто питання технології отримання плівок окису цинку, їх властивості і вплив технологічних параметрів процесу напилення на властивості плівок. Визначено умови напилення дрібнокристалічних, добре оріентірованних плівок ZnO, придатних для створення пристроїв на ПАР

Біографії авторів

І. M. Гранкін, Київський політехнічний інститут, м. Київ

Гранкін І. M. , канд. техн. наук,

Г. И. Кальна, Київський політехнічний інститут, м. Київ

Кальна Г. И. , канд. фіз.-мат. наук

В.К.  Лопушенко, Київський політехнічний інститут, м. Київ

 Лопушенко В.К., ст. інж.

Посилання

Хикернелл Ф. Преобразователи поверхностных волн на .тонких пленках окиси цинка.— ТИИЭР, № 5, 1976, с. 70—76.

Hickernel F. DS-triode sputteredzinc oxide surface elastic wave transducer.— J. Appl. Phys. 1973, March, vol. 44,p. 1061— 1071.

##submission.downloads##

Номер

№ 18 (1981)

Розділ

Articles