Protection of information in RAM on CMOS ICs

Authors

  • S. A. Dovbysh Kiev Politechnic Institute, Kiev

Keywords:

information security, RAM, CMOS circuits, storage device

Abstract

The proposed scheme, which provides safety information in CMOS circuits CL Failure of the supply voltage. Using the scheme increases the reliability of storage devices.

Author Biography

S. A. Dovbysh, Kiev Politechnic Institute, Kiev

Dovbysh S.A.

References

1. Давыдовская В.В., Малинин А.В., Таратын И.А., Усов Г.И. Быстродействующие асинхронные статические ОЗУ К537РУ14 // Микропроцессорные средства и системы. 1986. № 4. С. 49.
2. Давыдовская В.В., Малинин А.В., Козловский В.А., Усов Г.И. Микросхема асинхронного статического ОЗУ КР537РУ13 // Микропроцессорные средства и системы. 1988. № 1. С. 93.

Issue

Section

Articles