Еволюція світлодіодів – від "холодного світла" Лосєва до освітлення вулиць (частина II)

  • R. V. Antypenko Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • N. M. Rudenko Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • T. T. Silakova Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Ключові слова: світлодіоди, напівпровідники, світловипромінюючі пристрої

Анотація

В огляді розглянута історія розвитку напівпровідникових світлодіодів, проведено аналіз стану сучасного ринку світлодіодів, нових матеріалів та технологій, світових тенденцій та перспектив.

Біографії авторів

R. V. Antypenko, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Антипенко Р. В., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів
N. M. Rudenko, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Руденко Н.М., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів
T. T. Silakova, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Силакова Т.Т., к.ф.-м.н., доцент

Посилання

1. Берг, Дин. Светодиоды. М., Мир.1972. 450 с.
2. Мешков С.П. Основы светотехники. М. Техническая литература.1960.Т.1,2. 230с.
3. Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов //Электронные компоненты. — 2000. — №2. — с.22-27.
4. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М. Радио и связь. — 1990. — 321 с.
5. Абрамов В.С., Щербаков Н.В. Светодиоды и лазеры. №1-2. 2002. С.25-30
6. Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И., Щербаков В.Н. Радиационная деградация светодиодов на основе (AlxGa(1-x))InP. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах.// Сб. докладов МЭИ. — 2004 — С. 151-159.
7. Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н. Влияние нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света (AlxGa(1-x))InP гетероструктур с красным и желтым свечением // Технологии приборостроения — № 4 (16) — С.11-22.
8. Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия. В сб. Моделирование и исследование сложных систем. М.: МГАПИ. 2004. Т.1. С. 3-7.
9. Yunovich A.E., Kudryasov V.E., TurkinA.N.,. Spectra and dqantum emitting diodes based on GaN-heterostruktures with quantum wells. Physika Status Solidi. Vol. 176 N1. P. 125.
10. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир. 1981.
11. LumiLeds. Preminary. Applikation Note POI /Lumileds custom Luxeon. 2002.№1-2,р.1-20
12. Graford M.G.. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future // MRS bulletin. 2000. N 1. P.27-31.
13. Agilent Technologies / Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optikal performance AlInGaP LeDs. — 2004. — P.1-2.
14. Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright c 2000 Lumileds Lighting Publicstion. 2001.P.1-20.
15. Long term regiability data for AlInGaP technjlogy T-1 / LED lamps / Application brief. I-021. 2001. P. 1-9.
16. Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г. Мощные полупроводниковые источники излучения. Электроника. Наука, технология, бизнес. 1999. №3, с. 16-31.
Опубліковано
2012-12-02
Як цитувати
Antypenko, R. V., Rudenko, N. M. і Silakova, T. T. (2012) «Еволюція світлодіодів – від "холодного світла" Лосєва до освітлення вулиць (частина II)», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(39), с. 144-150. doi: 10.20535/RADAP.2009.39.144-150.
Номер
Розділ
Огляди

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>