Фазостабільний аттенюатор СВЧ на р-і-n діодах

  • О. С. Макаренко Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • В. Ф. Курінний Київський політехнічний інститут, м. Київ

Анотація

Розглянуто погоджений аттенюатор на p-i-n діодах з малою нерівномірністю фазочастотной характеристики при зміні внесеного загасання, що досягається шляхом роздільної компенсації реактивних елементів діодів. Наведено розрахункові характеристики.

Біографії авторів

О. С. Макаренко, Київський політехнічний інститут, м. Київ

Макаренко О. С., канд. техн. наук

 

 

В. Ф. Курінний, Київський політехнічний інститут, м. Київ

Курінний В. Ф., студ.

Посилання

Васильев А. П., Зуйков Е. С., Кочеткова Е. И., Пылакин В. А. Аттенюатор на р-і-n - диодах с компенсацией неравномерности фазоамплитудных характеристик // Электрон. техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 12(336). С. 20-22.

Фельдштейн А. Л., Явич Л. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М. : Связь, 1971. 388 с.

Номер
Розділ
Articles