Evolution of a lumileds – from "cool light" Loseva to lighting of streets (part II)
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2009.39.144-150Keywords:
lumileds, semiconductors, light-radiation devicesAbstract
In review are considered history development of semiconductor lumileds, done analysis up-to-date market lumileds, a new material and technology, are showed world tendencies and perspectives.References
1. Берг, Дин. Светодиоды. М., Мир.1972. 450 с.
2. Мешков С.П. Основы светотехники. М. Техническая литература.1960.Т.1,2. 230с.
3. Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов //Электронные компоненты. — 2000. — №2. — с.22-27.
4. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М. Радио и связь. — 1990. — 321 с.
5. Абрамов В.С., Щербаков Н.В. Светодиоды и лазеры. №1-2. 2002. С.25-30
6. Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И., Щербаков В.Н. Радиационная деградация светодиодов на основе (AlxGa(1-x))InP. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах.// Сб. докладов МЭИ. — 2004 — С. 151-159.
7. Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н. Влияние нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света (AlxGa(1-x))InP гетероструктур с красным и желтым свечением // Технологии приборостроения — № 4 (16) — С.11-22.
8. Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия. В сб. Моделирование и исследование сложных систем. М.: МГАПИ. 2004. Т.1. С. 3-7.
9. Yunovich A.E., Kudryasov V.E., TurkinA.N.,. Spectra and dqantum emitting diodes based on GaN-heterostruktures with quantum wells. Physika Status Solidi. Vol. 176 N1. P. 125.
10. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир. 1981.
11. LumiLeds. Preminary. Applikation Note POI /Lumileds custom Luxeon. 2002.№1-2,р.1-20
12. Graford M.G.. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future // MRS bulletin. 2000. N 1. P.27-31.
13. Agilent Technologies / Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optikal performance AlInGaP LeDs. — 2004. — P.1-2.
14. Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright c 2000 Lumileds Lighting Publicstion. 2001.P.1-20.
15. Long term regiability data for AlInGaP technjlogy T-1 / LED lamps / Application brief. I-021. 2001. P. 1-9.
16. Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г. Мощные полупроводниковые источники излучения. Электроника. Наука, технология, бизнес. 1999. №3, с. 16-31.
2. Мешков С.П. Основы светотехники. М. Техническая литература.1960.Т.1,2. 230с.
3. Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов //Электронные компоненты. — 2000. — №2. — с.22-27.
4. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М. Радио и связь. — 1990. — 321 с.
5. Абрамов В.С., Щербаков Н.В. Светодиоды и лазеры. №1-2. 2002. С.25-30
6. Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И., Щербаков В.Н. Радиационная деградация светодиодов на основе (AlxGa(1-x))InP. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах.// Сб. докладов МЭИ. — 2004 — С. 151-159.
7. Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н. Влияние нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света (AlxGa(1-x))InP гетероструктур с красным и желтым свечением // Технологии приборостроения — № 4 (16) — С.11-22.
8. Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия. В сб. Моделирование и исследование сложных систем. М.: МГАПИ. 2004. Т.1. С. 3-7.
9. Yunovich A.E., Kudryasov V.E., TurkinA.N.,. Spectra and dqantum emitting diodes based on GaN-heterostruktures with quantum wells. Physika Status Solidi. Vol. 176 N1. P. 125.
10. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир. 1981.
11. LumiLeds. Preminary. Applikation Note POI /Lumileds custom Luxeon. 2002.№1-2,р.1-20
12. Graford M.G.. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future // MRS bulletin. 2000. N 1. P.27-31.
13. Agilent Technologies / Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optikal performance AlInGaP LeDs. — 2004. — P.1-2.
14. Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright c 2000 Lumileds Lighting Publicstion. 2001.P.1-20.
15. Long term regiability data for AlInGaP technjlogy T-1 / LED lamps / Application brief. I-021. 2001. P. 1-9.
16. Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г. Мощные полупроводниковые источники излучения. Электроника. Наука, технология, бизнес. 1999. №3, с. 16-31.
Downloads
Published
2012-12-02
Issue
Section
Reviews
License
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
How to Cite
“Evolution of a lumileds – from ‘cool light’ Loseva to lighting of streets (part II)” (2012) Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, (39), pp. 144–150. doi:10.20535/RADAP.2009.39.144-150.
