Thermal conditions analyze of impat diodes in millimeter-wave pulse generators


  • A. V. Gutsul State Enterprise Res. Inst. “Orion”, Kiev
  • O. V. Zorenko State Enterprise Res. Inst. “Orion”, Kiev



IMPATT diode, oscillator millimeter, microwave equipment


There is influence of generator design features and IMPATT diode supply mode on effective layer thermal conditions being examined in this article. Shown, that current pulse width and thermal properties of layers closest to effective are determinative factors given supply power.

Author Biographies

A. V. Gutsul, State Enterprise Res. Inst. “Orion”, Kiev

Gutsul A.V.

O. V. Zorenko, State Enterprise Res. Inst. “Orion”, Kiev

Zorenko O.V.


Domingos Н. Transient temperature rise in silicon semiconductors devices // IEEE Trans. – 1975. vol. ED-22, no 1. – p. 20-23.

Bowen J.H., Breese M.E. Analytic and experimental techniques for evaluating transient thermal characteristics of TRAPATT diodes //IЕЕЕ Trans. – 1974. – vol. ED-21, no 8. – p. 480-487.

Ясинский К.А. Тепловой режим импульсных генераторных диодов // Радиотехника и электроника. – 1975. – № 1. – с. 224-226.

Крейт Ф., Блек У. Основы теплопередачи. – М. : Издательство “Мир”, 1983.

Пехович А.И., Жидких В.М. Расчеты теплового режима твердых тел. –Ленинград : Энергия, 1976.

Касаткин Л.В., Чайка В .Е. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн. – Севастополь : Изд. "Вебер", 2006.

Олейник В.Ф., др. Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологий. – К. : Изд. ООО “ДВ.К.”, 2004.

How to Cite

Гуцул, А. and Зоренко, О. (2008) “Thermal conditions analyze of impat diodes in millimeter-wave pulse generators”, Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, 0(36), pp. 76-80. doi: 10.20535/RADAP.2008.36.76-80.



Electrodynamics. Microwave devices. Antennas