Nanoelektronnye ustroistva na osnove sverkhreshetok [Nanoelectronic devices based on superlattices]
Keywords:
superlattice, nanoelectronic devices, microprocessor, midget IP, technologyNanoelectronic devices based on superlatticesAbstract
A review of the results for the development of nanoelectronic devices based on superlattice (SL). The basics of physical phenomena used in the devices, as well as technology features SL.References
Берски Д. Новый микропроцессор, содержащий несколько миллионов транзисторов и обладающий вычислительной мощностью суперкомпьютера // Электроника. 1991. № 11-12. С. 3,4.
Уоллер Л. Квантовая решетка – новый путь создания сверхмалых ИС // Электроника. 1989. № 4. С. 9.
.Эсаки Л. Путешествие в страну туннелирования // Успехи физ. наук. 1975. Т. 116, вып. 4. С. 569-583.
Тагер А.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. Ч. 1. Физические основы / / Электрон, техника. Сер. 1. Электроника СВЧ . 1 9 8 7 . Вып. 9 ( 403 ) . С . 21- 34 .
Tsuchiya Н., Ogawa А., Miyoshi Т. Simulation of quantum transport in quantum devices with spatially varrylng effective mass // IEEE Trans, on Ed. 1991. Vol. 3 8 , №6. P. 1246— 1252.
Canoe J., Hoff С V . Roy W. V. et al. Capacitances in double-barrier tunneling structures / / Ibid. 1991. Vol. 38, №9. P. 2006-2012.
Haul., Barnes F.S. A theory ofshotnoise in quantum wellsand applications in resonant tunneling hetero junction bipolar transistors // Ibid. 1991. Vol. 38, №2. P. 237 - 242.
Nakamura K., Shimizu A., Koshiba M ., Hayata K. Finite-element analysis of the miniband structures of semiconductor superlattices with arbitrary periodic potential profiles // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, №8, P. 2035 — 2041.
Долмшюв И.Н., Толапихин В.И., Еленский В.Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов // Зарубеж. радиоэлектроника. 1990, №7. С. 66-89.
Schnell R.D., Tews Н. Size effects in microstructured resonant tunneling diodes / / Solid-state electronics. 1990 . Vol. 33 , № 11 . P . 1467-1470.
Weisshaar A., Cary J ., Goodnick S.M., Tripathi V.K. Negative differential resistance in a resonant quantum wire structure // IEEE Electron. Device Lett. 1991. Vol. 12. №1. P. 2-4.
Уэбер С. Перспективы новых поколений ИС-приборов на квантовых эффектах // Электроника. 1988, №20. С. 83-89.
ТагерА.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. Ч. 2. Резонансно-туннельные диоды и транзисторы // Электрон. техника. Сер. 1 Электроника СВЧ .1988. Вып. 2 (406 ) . С. 17—33.
Тилл Д. Квантово-туннельный транзистор побивает рекорды миниатюрности и быстродействия // Электроника. 1989. №2, С. 6. 15. Оптический транзистор фирмы NTT // Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НИИЭИР. 1991. Вып. 23. С. 23.
Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультра-больших интегральных схем : Пер. с англ. М., 1991 . 327 с.
Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М., 1990. 304 с.
Данилина О.В., Косых А .Е., Логгинов А.С., Пашко С.А. Мощный квантово-размерный AlGaAs/GaAs инжекционный лазер с широким контактом и остронаправленной диаграммой направленности / / Квантовая электроника. 1991 . №11. С. 1313-1314.
Rosenzweig A., Mohrle М., Duser H ., Venghaus H. Threshold-current analysis of InGaAs— InGaAsP multiquantum well separate-confinement lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, № 6. P. 1804 - 1811.
Chung Y.C.. Wiesenfeld J.M., Raybon G . et al. Intermodulalion distortion in a inullinle-quantum-well-semiconductor optical amplifier // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. Vol. 3, №2. P. 130-132.
Wakila K , Kotaka I., Mitomi O. Observation of low-chirp modulation in InGaAs–InAlAs multiple-quantumwell optical modulators under 30G H z // Ibid. P. 138-140.
Youn H.J., Darling R.В., Kuhn K J . AIGaAs–GaAs multiple quantum-well spectrally tunable photoconductors // Ibid. P. 159-161.
Yamanouchi T., Takahashi T., Arakawa Y. Tight binding analysis for quantum-wire lasers and quantum-wire infrared detectors // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, №6. P. 1817-1823.
Нефф Дж.А., Amxaл e P.A., Ли C.X. Двумерные пространственные модуляторы света: Метод. обзор // ТИИЭР. 1990. Т. 78, №5. С. 29— 58.
Цифровой оптический процессор // Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НИИЭИР. 1990. Вып. 13. С. 20 ,21 ; Вып. 17. С. 14,15.
Штрайбль Н., Брен-нер К.-Х., Хуан А. и 0р. Цифровая оптика // ТИИЭР. 1989. Т. 77. №12. С. 179— 196.
Ижнин И.И., Гаврилюк Ю.Н. Эпитаксиальные методы выращивания GaAs // Зарубеж. электрон, техника. 1991. Вып. 10-11.
Херман М. Полупроводниковые сверх-решетки: Пер. с англ. М., 1989. 240 с.
Низкотемпературное выращивание высококачественных арсенид-галиевых пленок / / Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НЙИЭИР. 1990. Вып.20. С .15.
Herman М.A., Bimberg D., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: evaluation by luminescence techniques // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70 , №2. P. 1-52.
