Еволюція світлодіодів – від "холодного світла" Лосєва до освітлення вулиць (частина 1)

  • R. V. Antypenko Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • N. M. Rudenko Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • T. T. Silakova Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Ключові слова: світлодіоди, напівпровідники, світловипромінюючі пристрої

Анотація

В огляді розглянута історія розвитку напівпровідникових світлодіодів, проведено аналіз стану сучасного ринку світлодіодів, нових матеріалів та технологій, світових тенденцій та перспектив.

Біографії авторів

R. V. Antypenko, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Антипенко Р. В., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів
N. M. Rudenko, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Руденко Н.М., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів
T. T. Silakova, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Силакова Т.Т., к.ф.-м.н., доцент

Посилання

Берг Д. Светодиоды. М., Мир. — 1972. — 450 с.

Мешков С.П. Основы светотехники. М.Техническая литература.1960.Т.1,2. 230 с.

Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов. Электронные компоненты. 2000. №2. с. 22-27.

Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М. Радио и связь. 1990. 321 c.

Абрамов В.С., Щербаков Н.В. Светодиоды и лазеры. №1-2. 2002. с. 25-30

Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И., Щербаков В.Н. Радиационная деградация светодиодов на основе (AlxGa1-x)InP. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М. МЭИ. с. 151-159.

Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н. Исследование влияния нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света гетероструктур с красным и желтым цветом свечения. // Технологии приборостроения. № 4, c. 11-22.

Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия. Сб. Моделирование и исследование сложных систем. М.: МГАПИ. 2004. Т.1. c.3-7.

Yunovich A.E., Kudryasov V.E., TurkinA.N. Spectra and quantum emitting diodes based on GaN-heterostruktures with quantum wells. Physic Status Solid. V. 176. №1. P. 125.

Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир. 1981.

Lumileds. Application Note POI. Lumileds custom Luxeon. 2002.№ 1-2. P.1-20

M. George Graford. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future//MRS bulletin. 2000. N 1. P.27-31.

Agilent Technologies // Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optical performance AlInGaP LeDs. 2004. P.1-2.

Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright c 2000 Lumileds Lighting Publicstion. 2001. P.1-20.

Long term reliability data for AlInGaP technology T. 1. LED lamps // Application brief I-021. 2001. P. 1-9.

Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г. Мощные полупроводниковые источники излучения. Электроника. Наука, технология, бизнес. 1999. №3. с. 16-31.

Опубліковано
2009-03-30
Як цитувати
Antypenko, R. V., Rudenko, N. M. і Silakova, T. T. (2009) «Еволюція світлодіодів – від "холодного світла" Лосєва до освітлення вулиць (частина 1)», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(38), с. 119-123. doi: 10.20535/RADAP.2009.38.119-123.
Номер
Розділ
Огляди

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>