Еволюція світлодіодів – від "холодного світла" Лосєва до освітлення вулиць (частина 1)
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2009.38.119-123Ключові слова:
світлодіоди, напівпровідники, світловипромінюючі пристроїАнотація
В огляді розглянута історія розвитку напівпровідникових світлодіодів, проведено аналіз стану сучасного ринку світлодіодів, нових матеріалів та технологій, світових тенденцій та перспектив.
Посилання
Берг Д. Светодиоды. М., Мир. — 1972. — 450 с.
Мешков С.П. Основы светотехники. М.Техническая литература.1960.Т.1,2. 230 с.
Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов. Электронные компоненты. 2000. №2. с. 22-27.
Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М. Радио и связь. 1990. 321 c.
Абрамов В.С., Щербаков Н.В. Светодиоды и лазеры. №1-2. 2002. с. 25-30
Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И., Щербаков В.Н. Радиационная деградация светодиодов на основе (AlxGa1-x)InP. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М. МЭИ. с. 151-159.
Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н. Исследование влияния нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света гетероструктур с красным и желтым цветом свечения. // Технологии приборостроения. № 4, c. 11-22.
Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия. Сб. Моделирование и исследование сложных систем. М.: МГАПИ. 2004. Т.1. c.3-7.
Yunovich A.E., Kudryasov V.E., TurkinA.N. Spectra and quantum emitting diodes based on GaN-heterostruktures with quantum wells. Physic Status Solid. V. 176. №1. P. 125.
Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир. 1981.
Lumileds. Application Note POI. Lumileds custom Luxeon. 2002.№ 1-2. P.1-20
M. George Graford. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future//MRS bulletin. 2000. N 1. P.27-31.
Agilent Technologies // Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optical performance AlInGaP LeDs. 2004. P.1-2.
Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright c 2000 Lumileds Lighting Publicstion. 2001. P.1-20.
Long term reliability data for AlInGaP technology T. 1. LED lamps // Application brief I-021. 2001. P. 1-9.
Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г. Мощные полупроводниковые источники излучения. Электроника. Наука, технология, бизнес. 1999. №3. с. 16-31.
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
