Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки

  • О.С. Кисіль Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Ключові слова: йонне травлення, швидкість травлення

Анотація

Проведено фізичний аналіз йонного травлення поверхні широковживаних матеріалів мікроелектроніки; наведені результати моделювання розробленою програмою.

Біографія автора

О.С. Кисіль, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Кисіль О.С., магістрант радіотехнічного факультету

Посилання

Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для трав-ления и очистки материалов. – М.: Энергоатомиздат. – 1987.-264 с.

Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. – М.: Сов. радио. – 1979. – 104 с.

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.:Мир.1985. 496с

Як цитувати
Кисіль, О. (1) «Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(40), с. 149-153. doi: 10.20535/RADAP.2010.40.149-153.
Номер
Розділ
Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка