Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки

Автор(и)

  • О.С. Кисіль Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2010.40.149-153

Ключові слова:

йонне травлення, швидкість травлення

Анотація

Проведено фізичний аналіз йонного травлення поверхні широковживаних матеріалів мікроелектроніки; наведені результати моделювання розробленою програмою.

Біографія автора

  • О.С. Кисіль, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
    Кисіль О.С., магістрант радіотехнічного факультету

Посилання

Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для трав-ления и очистки материалов. – М.: Энергоатомиздат. – 1987.-264 с.

Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. – М.: Сов. радио. – 1979. – 104 с.

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.:Мир.1985. 496с

Завантаження

Номер

№ 40 (2010)

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Ліцензія

1.  Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.

2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.

3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах).  Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це:  The Effect of Open Access.

Як цитувати

“Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки” (2010) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (40), pp. 149–153. doi:10.20535/RADAP.2010.40.149-153.