Частотні компоненти з від’ємним опром для вбудованих вимірювальних систем
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2015.63.100-106Ключові слова:
частотні компоненти, генератори, від’ємний опір, перспективні комп’ютерні компонентиАнотація
Метою роботи є критичний аналіз сучасного стану і перспектив подальшого розвитку частотних компонентів з від’ємним опором. Вказані основні можливі і найбільш перспективні напрямки розробки нових та вдосконалення існуючих частотних компонентів у різноманітних технічних галузях: вимірювання неелектричних та електричних параметрів, створення компонентів комп’ютерних систем та радіотехнічних кіл. В окрему групу винесено найбільш перспективні, с точки зору автора, компоненти, розробка яких може являти суттєвий інтерес для подальшого покращення технічних і економічних параметрів інженерних пристроїв.Посилання
Belokon N. L. (2004) Chastotni peretvoriuvachi tysku na osnovi tranzystornykh struktur z vid’yemnym oporom. Dys. kand. tekhn. nauk. [Frequency transducers of pressure on the basis of transistors structures with negative resistance. PhD thesis.]. Vinnytsia, Ukraine, 154 p.
Mutamba K., Flath M., Sigurdardottir A., Vogt A. and Hartnagel H.L. (1999) A GaAs pressure sensor with frequency output based on resonant tunneling diodes. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 48 No. 6, pp. 1333–1337.
Osadchuk V. S., Osadchuk A. V. and Krylyk L. V. (2003) Sensory volohosti [Humidity sensors]. Vinnitsa, Ukraine, Universum-Vinnytsia, 208 p.
Sawyckiy A. Y. (2011) Radiovymiriuvalnyi peretvoriuvach volohosti na osnovi volohochutlyvoho MDN-tranzystora [Humidity transducers based on humidity sensitive MOS-transistor]. Visnyk VPI, no. 5, pp. 167–171.
Baraban S. V. (2009) Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance. Naukovi praci VNTU, no. 2, pp. 1–8.
Negodenko O. N. and Mardamshina Y. P. (2000) Microelectronic sensors with frequency output. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, no. 5-6, pp. 11-13.
Negodenko O. N., Rumyantsev K. E., Tatarintsev S. A. and Koshelev S. G. (2000) Small-size sensors of electromagnetic fields. Datchiki i sistemy, no. 10, p. 53.
Ilchenko O. N. (2009) Peretvoriuvachi optychnoi potuzhnosti na osnovi polovykh fototranzystoriv z dvostoronnim osvitlenniam kanal [Transducers of optical power on the basis of field-effect phototransistors with bilateral illumination of channel]. Naukovi praci VNTU, no.3, pp. 1–7.
Osadchuk V. S., Osadchuk A. V. and Verbytskiy, V. G. (2001) Temperaturni ta optychni mikroelektronni chastotni peretvoriuvachi [Microelectronic frequency converters of temperature and optic radiation]. Vinnitsa, Universum-Vinnytsia, 195 p.
Gamage S. K., Okulan N. and Henderson H. T. (2000) Behavior of bulk micromachined silicon flow sensor in the negative differential resistance regime. Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 10, No. 3, pp. 421–429.
Lai Zongsheng, Sen Bin and Robison A.M. (1995) Negative-resistance characteristics of the micromachined thermistor sensor in CMOS-VLSI technology. 1995 IEEE TENCON. IEEE Region 10 International Conference on Microelectronics and VLSI. “Asia-Pacific Microelectronics 2000”. Proceedings, pp. 375–378.
Zviagin A. S. (2011) Mikroelektronnyi chastotnyi peretvoriuvach volohosti [Microelectronic frequency converter of humidity]. Naukovi praci VNTU, no. 2, pp. 1–8.
Danilenko O. O. (2007) Matematychna model emisiino-spektralnoho chastotnoho peretvoriuvacha [Mathematical model of the emission-spectral frequency converter]. Naukovi praci VNTU, no. 1, pp. 1–8.
Seletska O. O. (2010) Radiovymiriuvalni optychni peretvoriuvachi dlia vyznachennia chasu plazmokhimichnoho travlennia. Dys. kand. tekhn. nauk [Radio-optical converters to determine the time of plasma chemical etching. PhD thesis.]. Vinnytsia, Ukraine, 205 p.
Krynochkin R. V. and Osadchuk A. V. (2009) Problemy vymiriuvannia tovshchyny nanesenoho pokryttia ta metody pidvyshchennia ioho tochnosti [The problems of measuring the thickness of the coating and methods of improving its accuracy]. Novi tekhnolohii, no.1, pp. 102–105.
Novikov A. O. and Krynochkin R. V. (2007) Prohramno-aparatnyi kompleks keruvannia protsesom termichnoho vyparovuvannia [Integrated hardware-software system to control thermal evaporation process], Novi tekhnolohii, no.1-2 pp. 49–51.
Koval K. O. (2011) Bahatochastotnyi henerator na osnovi iemnisnoho efektu polovoi tranzystornoi struktury z vid’iemnym oporom [Multifrequency generator, based on the capacitance effect of FET-structure with negative resistance]. Naukovi praci VNTU, no.2, pp. 1–8.
Negodenko O. N., Lukyanenko E. B. and Zaruba D. (2004) Analogi negatronov dlya zashchity moshchnoi tsepi ot peregruzki [Using negatron analogs to protect powerful circuits from overload]. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, no. 5, pp. 11–13.
Semenov A. O. (2011) Funktsionalni vuzly radiovymiriuvalnykh pryladiv na osnovi reaktyvnykh vlastyvostei tranzystornykh struktur z vid’iemnym oporom [Functional components of radio devices based on reactive properties of transistor structures with negative resistance], Vinnitsa, Universum-Vinnytsia, 336 p.
Filynyuk M. A. (1998) Analiz i syntez informatsiinykh prystroiv na bazi potentsiino-nestiikykh uzahalnenykh peretvoriuvachiv imitansa [Analysis and synthesis of information devices based on potentially unstable immitance converters], Vinnitsa, Universum-Vinnytsia, 85 p.
Kasimov F. D. (1999) Fiziko-tekhnicheskie i skhemotekhnicheskie osobennosti proektirovaniya kremneevykh mikroelektronnykh preobrazovatelei na osnove negatronov [Physical and technical characteristics and circuit design of silicon microelectronic converters based on negatrons], Baku, ELM, 234 p.
Yurish Sergey Y., Kirianaki Nikolay V. and Pallàs-Areny R. (2005) Universal frequency-to-digital converter for quasi-digital and smart sensors: specifications and applications, Sensor Review, Vol. 25 Iss. 2, pp. 92 – 99.
Mantyniemi A., Rahkonen T. and Kostamovaara J. (1999) 'A high resolution digital CMOS time-to-digital converter based on nested delay locked loops. ISCAS’99. Proceedings of the 1999 IEEE International Symposium on Circuits and Systems VLSI (Cat. No.99CH36349), Vol. 2, pp. 537 – 540.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
