Симуляція роботи операційного підсилювача на МДН-транзисторах

Автор(и)

  • І.В. Роздобудько Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • К.В. Доценко Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2010.42.94-98

Ключові слова:

операційний підсилювач, модель МДН транзистора

Анотація

Проведено аналіз параметрів моделі МДН-транзистора; наведені результати симуляції спроектованого операційного підсилювача за параметрами.

Біографії авторів

І.В. Роздобудько, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Роздобудько І.В.

К.В. Доценко, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Доценко К.В.

Посилання

Chenming Hu, Weidong Liu, et al., “BSIM3v3.2.2 MOSFET Model. Users’ manual”, UC Berkley, 1999. 210 p.

Gray, Paul R., et al. Analysis and design of analog integrated circuits. N.Y.: John Wiley & Sons, Inc., 2001. 875 p.

R. Jacob Backer, Harry W. Li, David E. Boyce. CMOS Circuit Design, Layout and Simulation. New York : IEEE Press ,inc., 1998. 899 p.

Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg.CMOS Analog Circuit Design, Second Edition. New York. Oxford University Press, Inc., 2002. 701 p.

##submission.downloads##

Як цитувати

Роздобудько, І. і Доценко, К. (2010) «Симуляція роботи операційного підсилювача на МДН-транзисторах», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(42), с. 94-98. doi: 10.20535/RADAP.2010.42.94-98.

Номер

Розділ

Конструювання радіоапаратури