Розробка пристроїв і систем вирощування  злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки

А.П. Оксанич; С.Е. Притчин; В.А. Тербан

doi:10.20535/RADAP.2013.54.136-143

Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки

Автор(и)

А.П. Оксанич Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук
С.Е. Притчин Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук
В.А. Тербан ПП «Галар», м. Світловодськ

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2013.54.136-143

Ключові слова:

арсенід галію, злиток, пластина, температурний градієнт, діаметр, внутрішні напруження

Анотація

Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки. У роботі представлені результати розробки системи керування процесом вирощування зливків арсеніду галія, теплового вузла, методу й системи виміру внутрішніх напружень у пластинах арсеніду галію. Представлені в роботі технічні рішення дозволили одержати злитки кремнію діаметром 100 мм. с рухливістю, см² В^-1 с^-1 - 2500 ÷ 3500; концентрацій носіїв заряду, см-3 - 5x10¹⁷ ÷ 5x10¹⁸; густиною дислокацій, см^-2 - до 8x10⁴.

Біографії авторів

А.П. Оксанич, Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук

Оксанич А.П., д.т.н., проф.

С.Е. Притчин, Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук

Притчин С.Е., к.т.н., доцент

В.А. Тербан, ПП «Галар», м. Світловодськ

Тербан В.А., к.т.н., доцент

Посилання

Литература

Moss T.S., Burrell G.J., Ellis B. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth&Co (Publishers) Ltd, 1973.

Клюй Н.И. Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолируещого GaAs в ИК-области спектра / Н.И. Клюй, А.И. Липтуга, В.Б. Лозинский, А.Н. Лукьянов, А.П. Оксанич, В.А. Тербан // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, № 13. — С.27— 34.

Ситуация на мировом рынке галлия. [Електронний ресурс] — Режим доступу: http://www.realty3.ru/news/Situaciy_na_mirovom_rynke.html — Назва з екрана.

Atanassova E.D., Belyaev A.E., Konakova R.V. et. al., Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structuctures. Kharkiv, NTC “Institute of Single Crystals”, 2007, 216 p.

Kryshtab T.G. The structural relaxation in single crystals stimulated by microwave radiation / T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.A. Mazin, // Металлофизика и новейшие технологии. -1997. -т. 19, №5 c. 21-26.

V.A. Antonov. Analysis of crystal-meniscus system behaviour under Czochralski crystal growth. // J.Crystal Growth. – 2001. – v.226. – Р. 555-561

Загирняк М.В. Разработка математической модели и прогнозного регулятора для процесса выращивания монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия / М.В. Загирняк, А.П. Оксанич,., В.Р. Петренко, С.Э Притчин, В.А. Тербан. // Автоматизированные системы управления и приборы автоматики. – 2011. – Вып. 155. – с. 33-42.

References

Moss T.S., Burrell G.J., Ellis B. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth&Co (Publishers) Ltd, 1973.

Cliuy N.I. Primenenie almazopodobnykh uglerodnykh plenok dlia prosvetleniia kristallov poluizolirueshchogo GaAs v IK-oblasti spektra / N.I. Cliuy, A.I. Leeptuga, V.B. Lozinskii, A.N. Lukianov, A.P. Oksanich, V.A. Terban // Pisma v ZHTF. — 2012. — T. 38, № 13. — S.27— 34.

Situatciia na mirovom rynke galliia. [Elektronnii resurs] — Rezhim dostupu: http://www.realty3.ru/news/Situaciy_na_mirovom_rynke.html — Nazva z ekrana.

Kryshtab T.G. The structural relaxation in single crystals stimulated by microwave radiation / T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.A. Mazin, // Metallofizika i noveishie tekhnologii. -1997. -t. 19, №5 c. 21-26.

V.A. Antonov. Analysis of crystal-meniscus system behaviour under Czochralski crystal growth. // J.Crystal Growth. – 2001. – v.226. – Р. 555-561

Zagirnyak M.V. Razrabotka matematicheskoi modeli i prognoznogo reguliatora dlia protcessa vyrashchivaniia monokristallov poluizoliruiushchego arsenida galliia / M.V. Zagirniyk, A.P. Oksanich, V.R. Petrenko, S.E. Pritchin, V.A. Terban. // Avtomatizirovanny`e sistemy` upravleniia i pribory` avtomatiki. – 2011. – Vyp. 155. – s. 33-42.

##submission.downloads##

PDF (Русский)

Як цитувати

Оксанич, А., Притчин, С. і Тербан, В. (2013) «Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(54), с. 136-143. doi: 10.20535/RADAP.2013.54.136-143.

Завантажити посилання

Номер

№ 54 (2013)

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Ліцензія

1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.

2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.

3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.