Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги

  • М.М. Прищепа Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • С.В. Лозовий Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ
Ключові слова: іон-селективний польовий транзистор, ІСПТ, йонний склад розчину, порогова напруга

Анотація

Розробляються та вдосконалюються сенсори на основі іон-селективних польових транзисторів(ІСПТ) для дослідження іонного складу розчинів. Для проектування та вдосконалення схем управління сенсорами необхідно визначати порогову напругу ІСПТ за даними технологічного процесу. У статті наведено аналітичний розрахунок порогової напруги p-канального ІСПТ.

Біографії авторів

М.М. Прищепа, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Прищепа М.М., к.т.н. доцент кафедри радіоконструювання та виробництва радіоапаратури
С.В. Лозовий, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ
Лозовий С.В., аспірант інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Посилання

P. Bergveld. ISFET, Theory and Practice // IEEE Sensor Conference, Toronto, Canada. – Oct. 2003. – P. 1–26.

Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки: Навч. посіб. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк. – 2004. – 431. - с. ISBN 966-642-223-9(ч.1).

P. Bergveld. Thirty years of ISFETOLOGY – What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years // Sensors and Actuators, B. – 2003. – Vol.88. – P. 1–20.

А.Л. Кукла, А.С. Павлюченко, Ю.В. Голтвянский, Ю.М. Ширшов. Многоэлементные сенсорные массивы на основе интегральных кремниевых ионоселективных полевых транзисторов для систем химического мониторинга // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – Киев. – Наукова думка. – Вып. 42. – 2007. – С.72-79.

Advances in chemical sensors, biosensors and microsystems based on ion-sensitive field-effect transistor. V K Khanna. Indian Journal of Pure & Applied Physics vol. 45. – April 2007. – PP 345–353.

Опубліковано
2012-11-30
Як цитувати
Прищепа, М. і Лозовий, С. (2012) «Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(50), с. 105-113. doi: 10.20535/RADAP.2012.50.105-113.
Номер
Розділ
Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка