Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги

Автор(и)

  • М.М. Прищепа Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • С.В. Лозовий Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2012.50.105-113

Ключові слова:

іон-селективний польовий транзистор, ІСПТ, йонний склад розчину, порогова напруга

Анотація

Розробляються та вдосконалюються сенсори на основі іон-селективних польових транзисторів(ІСПТ) для дослідження іонного складу розчинів. Для проектування та вдосконалення схем управління сенсорами необхідно визначати порогову напругу ІСПТ за даними технологічного процесу. У статті наведено аналітичний розрахунок порогової напруги p-канального ІСПТ.

Біографії авторів

  • М.М. Прищепа, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
    Прищепа М.М., к.т.н. доцент кафедри радіоконструювання та виробництва радіоапаратури
  • С.В. Лозовий, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ
    Лозовий С.В., аспірант інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Посилання

P. Bergveld. ISFET, Theory and Practice // IEEE Sensor Conference, Toronto, Canada. – Oct. 2003. – P. 1–26.

Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки: Навч. посіб. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк. – 2004. – 431. - с. ISBN 966-642-223-9(ч.1).

P. Bergveld. Thirty years of ISFETOLOGY – What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years // Sensors and Actuators, B. – 2003. – Vol.88. – P. 1–20.

А.Л. Кукла, А.С. Павлюченко, Ю.В. Голтвянский, Ю.М. Ширшов. Многоэлементные сенсорные массивы на основе интегральных кремниевых ионоселективных полевых транзисторов для систем химического мониторинга // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – Киев. – Наукова думка. – Вып. 42. – 2007. – С.72-79.

Advances in chemical sensors, biosensors and microsystems based on ion-sensitive field-effect transistor. V K Khanna. Indian Journal of Pure & Applied Physics vol. 45. – April 2007. – PP 345–353.

Завантаження

Опубліковано

2012-11-30

Номер

№ 50 (2012)

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Ліцензія

1.  Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.

2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.

3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах).  Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це:  The Effect of Open Access.

Як цитувати

“Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги” (2012) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (50), pp. 105–113. doi:10.20535/RADAP.2012.50.105-113.