Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2015.62.100-107Ключові слова:
напівпровідникові надґрати, вхідний імпеданс, зонна діаграмаАнотація
Досліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених напівпровідникових надґрат (НҐ). Взаємним порівняння залежностей коефіцієнта відбиття обмежених НҐ і активної складової вхідного імпедансу необмежених НҐ проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими НҐ. В результаті аналізу залежності параметрів заборонених зон обмежених НҐ від кількості бар’єрів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених НҐ до параметрів зонної діаграми необмежених НҐ.Посилання
Перелік посилань
Bastard G. Heterostructures and Superlattices, Semiconductor. Encyclopedia of Applied Physics / G. Bastard. – N. Y. : Wiley, 2003. – P. 477–493.
Razeghi M. The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications / M. Razeghi, L. Esaki, K. von Klitzing, eds. – Bellingham: SPIE Press, 2013. – 1000 p.
Ахмедов Р. С. Імпедансна модель для наноелектронних структур / Р. С. Ахмедов, Е. А. Нелін // Вісник НТУУ «КПІ». Серія Радіотехніка. Радіоапаратобудування. – 2007. – № 34. – С. 102 – 105.
Водолазька М. В. Вхідні імпедансні характеристики двобар’єрних структур / М. В. Водолазька, О. В. Миколайчик, Є. А. Нелін // Вісник НТУУ «КПІ». Серія Радіотехніка. Радіоапаратобудування, 2014. – № 58. – С. 112–120.
Нелин Е. А. Импедансные характеристики кристаллоподобных структур /
Е. А. Нелин // ЖТФ. – 2009. – T. 79, № 7. – С. 27–31.
References
Bastard G. (2003) Heterostructures and Superlattices, Semiconductor. Encyclopedia of Applied Physics, pp. 477–493.
Razeghi M., Esaki L. and Klitzing K. von, eds. (2013) The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications. Bellingham: SPIE Press, 1000 p.
Akhmedov, R. S., Nelin, E. A. (2007) Impedance model for nanostructures. Visn. NTUU KPI, Ser. Radioteh. radioaparatobuduv., no. 34, pp. 102-105. (in Ukrainian)
Mikolaychik, O. V., Vodolazka, M. V., Nelin, E. A. (2014) Input impedance characteristics of double barrier structures. Visn. NTUU KPI, Ser. Radioteh. radioaparatobuduv., no. 58, pp. 112-120. (in Ukrainian)
Nelin E. A. (2009) Impedance Characteristics of Crystal-like Structures. Tech. Phys., vol. 54, no. 7, pp. 953-957.
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
