Імпедансна модель для наноелектронних структур

  • R. S. Akhmedov Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • E. A. Nelin Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” http://orcid.org/0000-0002-8208-9664
Ключові слова: наноелектронні квантово-механічні структури, імпедансна модель

Анотація

Розглянуто використання імпедансної моделі для моделювання наноелектронних квантово-механічних структур. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.

Біографії авторів

R. S. Akhmedov, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Ахмедов Р.С., магістрант радіотехнічного факультету
E. A. Nelin, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Нелін Є.А., д.т.н., проф. кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури

Посилання

Нелин Е.А. Наноэлектронные устройства на основе сверхрешеток // Вестник Киевского политехнического института (радиотехника). 1993. Вип.30. C. 3―15.

Khondker A. N., Khan M. R., Anwar A. F. M. Transmission line analogy of resonance tunneling phenomena: The generalized іmpedance concept // J.Appl.Phys. 1988. V.63, N. 10. P. 5191–5193.

Ando Y., Itoh T. Calculation of transmission tunneling current across arbitrary potential barriers // J.Appl.Phys. 1987. V. 61, N 4. P. 1497―1502.

Як цитувати
Akhmedov, R. S. і Nelin, E. A. (1) «Імпедансна модель для наноелектронних структур», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(34), с. 102-105. doi: 10.20535/RADAP.2007.34.102-105.
Номер
Розділ
Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>