Мiкросмужковий двосмуговий балун шлейфного типу з довiльними в смугах комплексними частотно-залежними iмпедансами входу та навантаження

Автор(и)

  • В. І. Оборжицький Національний університет «Львівська політехніка», м. Львів, Україна https://orcid.org/0000-0002-4829-7451
  • С. Є. Фабіровський Національний університет «Львівська політехніка», м. Львів, Україна https://orcid.org/0000-0002-1497-9200
  • В. Г. Сторож Національний університет «Львівська політехніка», м. Львів, Україна https://orcid.org/0000-0002-4776-2729
  • Ю. М. Матієшин Національний університет «Львівська політехніка», м. Львів, Україна https://orcid.org/0000-0001-8498-3398
  • Т. Є. Банщикова Національний університет «Львівська політехніка», м. Львів, Україна

DOI:

https://doi.org/10.64915/RADAP.2026.104.5-14

Ключові слова:

балун, двосмуговий режим роботи, метод парного-непарного збудження, частотно-залежнi вхiднi та навантажувальнi iмпеданси, перетворення комплексного iмпедансу

Анотація

У статті запропоновано структуру планарної мiкросмужкової схеми для проєктування компактного двосмугового балуна, два вихідні сигнали якого мають однакові амплітуди та протилежні фази у двох робочих діапазонах частот. Водночас така схема забезпечує трансформацію комплексних iмпедансiв навантаження, різних у цих діапазонах, у комплексні вхідні імпеданси джерела, які також відрізняються у цих діапазонах. Запропонована схема балуна ґрунтується на симетричній чотирипортовiй структурі шлейфного типу з одним відкритим портом, утвореній відрізками одиночної лінії передачі з трьома реактивними елементами та схемою розв’язки. Для реалізації цих реактивних елементів зі значеннями, різними у частотних діапазонах, використовуються відгалуження з відрізків ліній передачі. Завдяки застосуванню до симетричної чотирипортової структури аналізу в режимі парної і непарної мод було отримано вирази для розрахунку електричних параметрів елементів схеми двосмугового балуна. Для усунення обмежень на значення допустимих для трансформації комплексних iмпедансiв (як навантажень, так i вхідного) у схему також введено додаткові відрізки ліній, параметри яких задаються довільно. Вибір значень цих параметрів дозволяє в результаті розрахунків отримати значення електричних параметрів відрізків ліній схеми, які придатні для їх технічної реалізації. З метою перевірки запропонованої схеми та методу розрахунку було реалізовано i досліджено прототип двосмугового балуна, що працює на частотах 2,4 та 5,2 ГГц. Для виготовлення балуна на основі мiкросмужкових ліній передачі використано діелектричну підкладку з діелектричною проникністю 2,6 i товщиною 1,45 мм. Вимірювання показали, що розбалансування амплітуд i відхилення різниці фаз від 180° є меншими, нiж 0,6 дБ i 5° відповідно, смуга пропускання двосмугового балуна становить 290 МГц в обох діапазонах. Як результати моделювання, так і результати вимірювань добре узгоджуються, що доводить правильність запропонованої концепції проєктування.

Посилання

1. Gorur, A. K. (2020). A Dual-Band Balun BPF Using Codirectional Split Ring Resonators. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 30, Iss. 10, pp. 949–952. DOI: 10.1109/LMWC.2020.3016622.

2. Ge, J., Jiang, W., and Wang, G. (2021). A Dual-Band Balun BPF Using Double-Sided Parallel-Strip Line. 2021 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 07-25 June 2021, Atlanta, GA, USA, pp.251-253. DOI: 10.1109/IMS19712.2021.9574948.

3. Xiao, J.-K., Wu, R.-T., and Li, X.-F. (2024). Self-Packaged Wideband Filtering Baluns Based on Suspended Coplanar Waveguide-Microstrip Hybrid. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Vol. 14, Iss. 3, pp. 489-500. DOI: 10.1109/TCPMT.2024.3366612.

4. Li, E. S., Lin, C.-T., Jin, H., and Chin, K.-S. (2019). A systematic design method for a dual-band balun with impedance transformation and high isolation. IEEE Access, Vol. 7, pp. 143805-143813. DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2945049.

5. Gupta, R., Hashmi, M. S., and Chaudhary, M. A. (2020). Flexible design scheme for a simple dual-band ultra-high impedance transformer and its application in a balun. IEEE Access, Vol. 8, pp. 125745-125754. DOI: 10.1109/ACCESS.2020.3008046.

6. Gupta, R., Kairatova, S., Hashmi, M., and Nauryzbayev, G. (2021). A dual-band balun architecture with unequal port-terminations. 50th European Microwave Conference (EuMC) (IEEE, 2021), 12–14 Jan. 2021, Utrecht, Netherlands, pp. 848–851. DOI: 10.23919/EuMC48046.2021.9337973.

7. Maktoomi, M. H., Ren, H., Marbell, M. N., Klein, V., Wilson, R., and Arigong, B. (2020). A wideband isolated real-to-complex impedance transforming uniplanar microstrip line balun for push–pull power amplifier. IEEE Trans. Microw. Theory Tech., Vol. 68, No. 11, pp. 4560-4569. DOI: 10.1109/TMTT.2020.3019003.

8. Oborzhytskyy, V. I., Storozh, V. H., and Fabirovskyy, S. Ye. (2023). Dual-band Microstrip Balun with Different Complex Load Impedances in Frequency Bands. Radioelectronics and Communications Systems, Vol. 66, No. 1, pp. 1–14. DOI: 10.3103/S0735272723030044.

9. Oborzhytskyy, V., Fabirovskyy, S., and Sidelnyk, I. (2024). Design method of a dual-band balun, loaded with frequency-dependent complex impedances. 17th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET), Lviv-Slavsko, Ukraine, 09-12 Octob., pp. 1-4. DOI: 10.1109/TCSET64720.2024.10755514.

10. Li, E. S., Lin, C.-T., Jin, H., and Chin, K.-S. (2019). A Broadband Balun With Complex Impedance Transformation and High Isolation. IEEE Access, Vol. 7, pp. 112295-112303. DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2934506.

11. Tang, D., Luo, X. (2021). Compact Filtering Balun With Wide Stopband and Low Radiation Loss Using Hybrid Microstrip and Substrate-Integrated Defected Ground Structure. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 31, No. 6, pp. 549-552. DOI:10.1109/lmwc.2021.3065416.

12. Deb, P. K., Moyra, T., and Bhattacharyya, B. K. (2021). Miniaturized and enhanced bandwidth Marchand balun using CSRR. IET Microw. Antennas Propag., Vol. 15, Iss. 7, pp. 788–796. DOI: 10.1049/mia2.12086.

13. Steele, J., Psychogiou, D. (2024). Wideband Broadside-Coupled Line Baluns Enabled by Multimaterial Additive Manufacturing. IEEE Trans. Microw. Theory Tech., Vol. 72, No. 10, 2024, pp. 5904-5916. DOI: 10.1109/TMTT.2024.3392434.

14. Ke, Y.-H., Yang, L.-L., and Chen, J.-X. (2021). Design of Switchable Dual-Balun Feeding Structure for Pattern-Reconfigurable Endfire Antenna. IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, Vol. 20, Iss. 7, pp. 1463-1467. DOI:10.1109/LAWP.2021.3087479.

15. Yu, Y.-Q., Jiang, W., Qin, L., Shao, H.-Y., and Gong, S.-X. (2020). Design of a Planar Transmission Line Balun Based on Novel Phase Inverter. IEEE Access, Vol. 8, pp. 18915 – 18924. DOI:10.1109/ACCESS.2020.2968341.

16. Zhang, W., Wu, Y., Liu, Y., Yu, C., and Chen, W. (2015). Compact coupled-line balun with complex impedances transformation and high isolation. IET Microwaves, Antennas Propag., Vol. 9, Iss. 14, pp. 1587-1594. DOI: 10.1049/iet-map.2014.0775.

17. Zhang, W., Wu, Y., Wang, W., and Shen, X. (2017). Planar compact dual-band coupled-line balun with high isolation. China Commun., Vol. 14, No. 2, pp. 40-48. DOI: 10.1109/CC.2017.7868173.

18. Gupta, R., Hashmi, M. (2018). High impedance transforming simplified Balun architecture in microstrip technology. Microw. Optical Technol. Lett., Vol. 60, Iss. 12, pp. 3019-3023. DOI: 10.1002/mop.31450.

19. Wu, Y., Yao, L., Zhang, W., Wang, W., and Liu, Y. (2016). A planar dual-band coupled-line balun with impedance transformation and high isolation. IEEE Access, Vol. 4, pp. 9689-9701. DOI: 10.1109/ACCESS.2016.2640187.

20. Oborzhytskyy, V., Protasevych, V., Storozh, V., and Khiblin, O. (2024). Microstrip dual-band transformer of complex load impedances into complex input impedances with different values in frequency bands. 17th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET), Lviv-Slavsko, Ukraine, 09-12 Octob., pp. 574-577. DOI: 10.1109/TCSET64720.2024.10755665.

21. Prudyus, I., Oborzhytskyy, V. (2017). Dual-band devices based on coupled striplines for different power distribution in the frequency bands. Radioelectronics and Communications Systems, Vol. 60, No. 12, pp. 545–554. DOI: 10.3103/S0735272717120044.

Завантаження

Опубліковано

2026-06-30

Номер

Розділ

Електродинаміка, пристрої НВЧ діапазону та антенна техніка

Як цитувати

“Мiкросмужковий двосмуговий балун шлейфного типу з довiльними в смугах комплексними частотно-залежними iмпедансами входу та навантаження” (2026) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (104), pp. 5–14. doi:10.64915/RADAP.2026.104.5-14.

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають