Поліпшення параметрів резонатора на основі розімкнутого та короткозамкнутого шлейфів

Автор(и)

  • Є. А. Нелін Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського", м. Київ, Україна https://orcid.org/0000-0002-8208-9664
  • Ю. В. Непочатих Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського", м. Київ, Україна https://orcid.org/0000-0002-8801-1892

Ключові слова:

резонатор, довга лінія, розімкнутий шлейф, короткозамкнутий шлейф

Анотація

Розглянуто особливості частотної залежності еквівалентної ємності розімкнутого шлейфа та амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) резонатора на основі розімкнутого та короткозамкнутого шлейфів. Частотна залежність еквівалентної ємності розімкнутого шлейфа призводить до значного її збільшення за резонансу. У результаті досягається висока добротність. Однак, такій ємності відповідає мала індуктивність і, відповідно, неприйнятно мала довжина короткозамкнутого шлейфа. Недолік традиційного резонатора ще й у низькому значенні характеристичного імпедансу шлейфів. У статті запропоновано два конструктивних рішення, що дають змогу подолати ці недоліки. Показано, що на відміну від традиційного рішення з однаковими імпедансами шлейфів, у разі різноімпедансних шлейфів (високоімпедасного розімкнутого й низькоімпедасного короткозамкнутого) короткозамкнутий шлейф помітно довший. Наведено АЧХ двох варіантів резонатора на основі різноімпедансних шлейфів. Варіанти відрізняються значеннями характеристичних імпедансів шлейфів. Значення характеристичних імпедансів шлейфів першого варіанта задовольняють межам значень для двовимірних мікросмужкових елементів, а другого варіанта — тривимірних. У другому варіанті короткозамкнутий шлейф довше й більш високе подавлення сигналів у смугах подавлення. Як порівняти з традиційним рішенням, довжина короткозамкнутого шлейфа у першому і другому варіантах більша у 2,2 і 3,2 раза відповідно. Друге з запропонованих рішень — введення в конструкцію резонатора відрізка основної лінії передачі. Показано, що у випадку високоімпедасного відрізка добротність резонатора збільшується. Наведено АЧХ резонатора з чвертьхвильовим та півхвильовим відрізками, що підвищують добротність у 3 та 4 рази, як порівняти з випадком без відрізків. Отримано формули для добротності, що дають змогу у першому наближенні вибрати необхідні значення конструктивних параметрів резонатора запропонованої конструкції. Наведено АЧХ резонатора на основі обох запропонованих рішень та виконано порівняння конструктивних параметрів запропонованого і традиційного резонаторів.

Посилання

References

Matthaei G. L., Young L. and Jones E. M. T. (1980). Design of Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures. Norwood, Artech House, 1096 p.

Rizzi A. P. (1988). Microwave Engineering Passive Circuits. Englewood Cliffs, N. J., Prentice-Hall, 640 p.

Pozar D. M. (2011). Microwave Engineering, 4th ed. N. Y., Wiley, 752 p.

Hong J.-S. (2011). Microstrip Filters for RF/Microwave Applications, 2nd ed. N. Y., Wiley, 656 p.

Joines W. T., Palmer W. D. and Bernhard G. T. (2013). Microwave Transmission Line Circuits. Norwood, MA., Artech House, 320 p.

Hosoya K., Tanaka S., Amamiya Y., Niwa T. and Shimawaki H. (1999). A low phase-noise 18-GHz HBT oscillator utilizing a (λ/4±δ) open stubs resonator. Asia Pacific Microwave Conference. APMC'99. Microwaves Enter the 21st Century. Conference Proceedings, pp. 64-67. DOI: 10.1109/APMC.1999.828049.

Quendo C., Rius E. and Person C. (2003). Narrow bandpass filters using dual-behavior resonators. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 51, Iss. 3, pp. 734-743. DOI: 10.1109/TMTT.2003.808729.

Gómez-García R., Muñoz-Ferreras J.-M. and Psychogiou D. (2019). Dual-Behavior Resonator-Based Fully Reconfigurable Input Reflectionless Bandpass Filters. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 29, Iss. 1, pp. 35–37. DOI: 10.1109/LMWC.2018.2884151.

Zheng P., Peng Y. and Han X. (2019). Wideband Bandpass Filter with Controllable Bandwidth and High Selectivity Using Dual-Behavior Resonators and Coupled Lines. IEEE 5th International Conference on Computer and Communications (ICCC), pp. 294–297. DOI: 10.1109/ICCC47050.2019.9064429.

Yang Z., Cheng J., Wang J., Shang H., and Gao Q. (2021). A DBR Microstrip Dup-Lexer Based on Improved Microstrip Cross-Shaped Resonators. 2nd China International SAR Symposium (CISS), pp. 1–8. DOI: 10.23919/CISS51089.2021.9652311.

Wu Z., Shi G., Lu X., Liang R., Wen X., Wang J., et al. (2021). A W-band air-filled coaxial bandpass filter employing micro metal additive manufacturing technology. Int. J. RF Microw. Comput.-Aided Eng., Vol. 31, Iss. 1, e22768. DOI:10.1002/mmce.22768.

Sánchez-Soriano M. Á., Quéré Y., Saux V. Le, Marini S., Reglero M. S., Boria V. E. and Quendo C. (2019). Peak and Average Power Handling Capability of Microstrip Filters. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 67, Iss. 8, pp. 3436–3448. DOI: 10.1109/TMTT.2019.2919509.

Allanic R., Berre D. Le, Quendo C., Chouteau D., Grimal V., Valente D. and Billoué J. (2021). Switchable DBR Filters Using Semiconductor Distributed Doped Areas (ScDDAs). Electronics, Vol. 9, Iss. 12, 2021. DOI: 10.3390/electronics9122021.

Feng W., Shi Y., Ma X., Shen Y., Che W., Xue Q. and Wu L.-S. (2019). 28-GHz High-Selectivity Bandpass Filters with Dual-Behavior Resonators Using GaAs Technology. IEEE Transactions on Plasma Science, Vol. 47, Iss. 12, pp. 5277–5282. DOI: 10.1109/TPS.2019.2950708.

Feng W., Ma X., Shi Y., Shi S. and Che W. (2020). High-Selectivity Narrow- and Wide-band Input-Reflectionless Bandpass Filters with Intercoupled Dual-Behavior Resonators. IEEE Transactions on Plasma Science, Vol. 48, Iss. 2, pp. 446–454. DOI: 10.1109/TPS.2020.2968481.

Qian Z.-Y. and Chen J.-X. (2019). Compact bandpass filter using CMRC-based dual-behavior resonator. Int. J. RF Microw. Comput.-Aided Eng., Vol. 29, Iss. 7, e21719. DOI: 10.1002/mmce.21719.

Bidenko P. S., Nelin E. A., Nazarko A. I. and Adamenko Yu. F. (2015). Quasi-lumped reactive elements based on crystal-like discontinuities. Radioelectronics and Communications Systems, Vol. 58, Iss. 11, pp. 515–521. DOI: 10.3103/S0735272715110059.

##submission.downloads##

Опубліковано

2022-09-30

Як цитувати

Нелін , Є. А. і Непочатих, Ю. В. (2022) «Поліпшення параметрів резонатора на основі розімкнутого та короткозамкнутого шлейфів», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (89), с. 48-53. доступний у: https://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1782 (дата звернення: 23Липень2024).

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2