Розвиток НЕМТ
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2010.42.166-170Ключові слова:
нітрид галію, НЕМТАнотація
В статті наводиться огляд останніх робіт і перспективні напрямки розвитку транзисторів з високою рухливістю електронів.
Посилання
Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. и др., под. ред. Г.Г. Шишкина. Электронные приборы. – М.:Энергоавтомиздат. – 1989. – 495с.
Kim T., Kim D., Shin S., Jo S., Jang J., Song J. Characteristics of 0.2 µm depletionand quasienhancement mode self-aligned gate capless p-HEMTs // ELECTRONICS LETTERS . – 2006. – № 20.
Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние и перспективы // Электроника НТБ. – 2005. – №5. – с.59.
Босый В.И., Иващук А.В., Ковальчук В.Н., Семашко Е.М.Мощные СВЧ-тарнзисторы на основе широкозонных полупроводников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2003. – №3. – с.54.
Rajan S., Mishra U., Palacios T. AlGaN / GaN HEMTs: RECENT DEVELOPMENTS AND FUTURE DIRECTIONS // International Journal of High Speed Electronics and Systems.-2008. – №4. – c.155-163.
Poblenz C., Corrion A., Recht F., Sun Chang Soo, Chu Rongming, Shen Likun, Speck James S., Mishra Umesh K. Power performance of AlGaN / GaN HEMTs grown on SiC by ammonia-MBE at 4 and 10 GHz // IEEE Electron Devise Lett. – 2007. – №11, c. 945-947.
Tyagi R., Ahlawat A., Pandey M., Pandey S. New two-dimensional C-V model for prediction of maximum frequency of oscillation (fmax) of deep submicron AlGaN / GaN HEMT for microwave and millimeter wave applications // Microelectronics J. - 2008. – №12.
Takuma Nanjo, Misaichi Takeuchi, Muneyoshi Suita, Toshiyuki Oishi, YujiAbe,Yasunori Tokuda,Yoshinobu Aoyagi. Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel highelectron mobility transistors // Appl. Phys. Lett. – 2008. – №92.
Wang X.L.Chen T.S.Xiao H.L.,Tang J.,Ran J.X.,Zhang M.L.,Feng, C.,Hou, Q.F.,Wei M.,Jiang L.J.,Li J.M.,Wang Z. An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2W at 8GHz for X-band application // Solid-State Electronics. – 2009. – Vol. 53. – Р.332-335.
Poulton M.,Krishnamurthy K., Martin J., Landberg B., Vetury R., Aichele D.WIDEBAND 400 W PULSED POWER GAN AMPLIFIER // Microwave J. 2008. – V. 51.
Samoska L., Deal W., Pukala D., Fung A. Submillimeter-Wave HEMT Amplifier Module With Integrated Waveguide Transitions Operating Above 300 GHz // IEEE Trans. on MTT. – 2008. – Vol. 56. – Р.1380-1388.
Liang C., Yu-Ru Li, Li-Hung Lin, Po-Tsun Lin, Chun-Kai Yang,Yen Shung Tseng, Kuang Yao Chen, Cooper N., Simmons M., Ritchie D. Electron heating and huge posi tive magnetoresistance in an AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor structure at high temperatures // APPL. PHYS. LETT. – 2008 . – №92. – Р.152117 .
Hashim, Abdul Manaf, Ahir, Zon Fazlila Mohd, Kasai, Seiya,Hasegawa, Hideki.Odd Harmonic Responses in Two-Dimensional AlGaAs/GaAs HEMT Devices Due to Plasma Wave Interaction // AIP Conference Proceedings. – 2009. – Vol. 1150. – Р.328-335.
Белов Л. Твердотельные усилители малой и средней мощности // Електроника: НТБ. – 2006. – №5. – с.50.
Аболдуев И.М., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А. Разработка НЕМТ на основегетероструктур AlGaN/GaN/сапфир» // Материалы VI-ой НТК «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». – 2007. – с. 39.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
