Імпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Sі в області переходу метал-діелектрик
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2013.55.97-106Ключові слова:
кремній, ниткоподібні кристали, перехід метал-діелектрик, імпеданс-спектроскопіяАнотація
На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами 40х10-6 м, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-діелектрик (ρ300К = 0,94-1,68х10-4 Ом•м) у температурному інтервалі 4,2-70 К, частотному діапазоні 0,01-250 х103 Гц виявлено, що імпеданс зразків в залежності від температури має ємнісний (4,2К – 20 К) та індуктивний (30 – 70 К) характер, величина якого залежить від концентрації легуючої домішки. На основі досліджень кристалів методом імпедансної спектроскопії обговорено відмінність поведінки імпендансу зразків з різною концентрацією легуючої домішки.Посилання
Література
Дружинін А.О Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердих розчинів у сенсорній електроніці / Островський І.П., Когут Ю.Р. : Монографія.– Львів, НУ «Львівська політехніка», 2010. – 200 с. [Publ.]
Mora-Sero I. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forward Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells / I. Mora-Sero, J. Bisquert // Nano Letters. – 2006. – Vol. 6. – № 4. – p. 640−650. doi: 10.1021/nl052295q
Bisquert J. Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry / J. Bisquert, H. Randriamahazaka, G. Garsia-Belmonte // Electrochimica Acta. – 2005. – Vol. 51, № 4 – p. 627−640. doi: 10.1016/j.electacta.2005.05.025
Mora-Sero I. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forward Bias inanocomposite and Polycrystalline Solar Cells / I. Mora-Sero, J. Bisquert, F. Fabregat-Santiago, G. Garcia Belmonte // Nano Letters. – 2006. – Vol. 6, № 4. – p. 640-650. doi: 10.1021/nl052295q
Аверкиев Н.С. Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния / Н.С. Аверкиев, Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк // Физика и техника полупроводников. – 1996. – Т. 30, № 12. – c. 2178-2182. [Publ.]
Werner J. Origin of the Excess Capacitance at Intimate Schottky Contacts / A. Levi, R.T. Tung // Physical review letters. – 1988. – Vol. 60. – p.53-56. doi: 10.1103/PhysRevLett.60.53
Wu X. Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces / X. Wu, E.S. Yang, H.L. Evans // Journal of Applied Physics. – 1990. – Vol. 68. – p. 2845-2848. doi: 10.1063/1.346442
Steiner K. Inductive reactances and excess capacitances at WNx/n–GaAs Schottky gate contacts / K. Steiner, N. Uchitami, N. Toyoda // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. – 1990. – Vol. 8, № 5. – p. 1113–1116. doi: 10.1116/1.584926
Поклонский Н.А. Отрицательная емкость (импенданс индуктивного типа) кремниевых р+– n- переходов, облученных быстрыми електронами / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачу, С.Б. Ластовский // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т. 40, № 7. – с. 824-828. doi: 10.1134/S1063782606070128
Дружинін А.О. Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію // А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Р.М. Корецький, С.Ю. Яцухненко // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, Електроніка. – 2012. – № 734. – С. 91-97. [Publ.]
Ермаков А.П. Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения : дис. на соискание наук. ступеня канд. техн. наук : спец. 01.04.07 «Физика твердого тела» / А. П. Ермаков ; Воронежский государственный технический университет. – Воронеж, 2000.
References
Druzhynin A.O., Ostrovskyi I.P., Kogut Yu.R. (2010) Nytkopodibni krystaly kremniiu, germaniiu ta yikh tverdykh rozchyniv u sensornii elektronitsi [Whiskers of silicon, germanium and their solid solutions in sensors electronic]. Lviv, Lvivska politekhnika Publ., 200 p. [Publ.]
Mora-Sero I., Bisquert J. (2006) Implications of the Negative Capacitance Observed at Forward Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells. Nano Letters, Vol. 6., No 4, pp. 640−650. doi: 10.1021/nl052295q
Bisquert J., Randriamahazaka H., Garsia-Belmonte G. (2005) Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry. Electrochimica Acta, Vol. 51, No 4, pp. 627−640. doi: 10.1016/j.electacta.2005.05.025
Mora-Sero I., Bisquert J., Fabregat-Santiago F., Garcia Belmonte G. (2006) Implications of the Negative Capacitance Observed at Forward Bias inanocomposite and Polycrystalline Solar Cells. Nano Letters, Vol. 6, No. 4. pp. 640-650. doi: 10.1021/nl052295q
Averkiev N.S., Kapitonova L.M., Lebedev A.A., Remeniak A.D. (1996) Chastotnaia zavisimost yemkosti v strukturakh na osnove porystogo kremniia []. Physics and Technics of Semiconductors. Vol. 30, No 12, pp. 2178-2182.
Werner J., Levi A.F.J., Tung R.T., Anzlowar M., Pinto M. (1988). Origin of the excess capacitance at intimate Schottky contacts. Physical review letters. Vol. 60, pp. 53-56. doi: 10.1103/PhysRevLett.60.53
Wu X., Yang E.S., Evans H.L. (1990) Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces. Journal of Applied Physics, Vol. 68, pp. 2845-2848. doi: 10.1063/1.346442
Steiner K., Uchitami N., Toyoda N. (1990) Inductive reactances and excess capacitances at WNx/n–GaAs Schottky gate contacts. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Vol. 8, No. 5, pp. 1113–1116. doi: 10.1116/1.584926
Poklonski N. A., Shpakovski S. V., Gorbachuk N. I., Lastovskii S. B. (2006) Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p+–n junctions irradiated with fast electrons. Semiconductors. Vol. 40, No 7, pp. 803-807. doi: 10.1134/S1063782606070128
Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Koretskyy R.M., Yatsukhnenko S.Yu. (2012) Elektroprovidnist ta magnetoopir nytkopodibnyh krystaliv kremniiu. Visnyk of Lviv Polytechnic National University, Electronics, no. 734, pp. 91-97. [Publ.]
.Ermakov A.P. Mehanicheskie svoystva nitevidnyih krystallov kremniia i germaniia pry vneshnyh vozdeystviyah i metodyi yh izucheniya. Dis. kand. tehn. nauk. [Mechanical properties of whiskers of silicon and germanium caused by external influences and methods of their study. Cand. tech. sci. diss.]. Voronezh, 2000.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
