Технологія отримання плівок окису цинка для пристроїв на ПАВ

Автор(и)

  • І. M. Гранкін Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • Г. И. Кальна Київський політехнічний інститут, м. Київ
  • В.К.  Лопушенко Київський політехнічний інститут, м. Київ

Анотація

Розглянуто питання технології отримання плівок окису цинку, їх властивості і вплив технологічних параметрів процесу напилення на властивості плівок. Визначено умови напилення дрібнокристалічних, добре оріентірованних плівок ZnO, придатних для створення пристроїв на ПАР

Біографії авторів

  • І. M. Гранкін, Київський політехнічний інститут, м. Київ

    Гранкін І. M. , канд. техн. наук,

  • Г. И. Кальна, Київський політехнічний інститут, м. Київ
    Кальна Г. И. , канд. фіз.-мат. наук
  • В.К.  Лопушенко, Київський політехнічний інститут, м. Київ
     Лопушенко В.К., ст. інж.

Посилання

Хикернелл Ф. Преобразователи поверхностных волн на .тонких пленках окиси цинка.— ТИИЭР, № 5, 1976, с. 70—76.

Hickernel F. DS-triode sputteredzinc oxide surface elastic wave transducer.— J. Appl. Phys. 1973, March, vol. 44,p. 1061— 1071.

Завантаження

Номер

№ 18 (1981)

Розділ

Articles