Наноелектронні пристрої на основі зверхрешіток
Ключові слова:
зверхрешітки, наноелектронні пристрої, мікропроцесор, зверхмалі ІС, технологіїАнотація
Проведено огляд результатів по розробці наноелектронних пристроїв на основі сверхрешеток (СР). Розглянуто основи фізичних явищ, що використовуються в пристроях, а також особливості технології СРПосилання
Берски Д. Новый микропроцессор, содержащий несколько миллионов транзисторов и обладающий вычислительной мощностью суперкомпьютера // Электроника. 1991. № 11-12. С. 3,4.
Уоллер Л. Квантовая решетка – новый путь создания сверхмалых ИС // Электроника. 1989. № 4. С. 9.
.Эсаки Л. Путешествие в страну туннелирования // Успехи физ. наук. 1975. Т. 116, вып. 4. С. 569-583.
Тагер А.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. Ч. 1. Физические основы / / Электрон, техника. Сер. 1. Электроника СВЧ . 1 9 8 7 . Вып. 9 ( 403 ) . С . 21- 34 .
Tsuchiya Н., Ogawa А., Miyoshi Т. Simulation of quantum transport in quantum devices with spatially varrylng effective mass // IEEE Trans, on Ed. 1991. Vol. 3 8 , №6. P. 1246— 1252.
Canoe J., Hoff С V . Roy W. V. et al. Capacitances in double-barrier tunneling structures / / Ibid. 1991. Vol. 38, №9. P. 2006-2012.
Haul., Barnes F.S. A theory ofshotnoise in quantum wellsand applications in resonant tunneling hetero junction bipolar transistors // Ibid. 1991. Vol. 38, №2. P. 237 - 242.
Nakamura K., Shimizu A., Koshiba M ., Hayata K. Finite-element analysis of the miniband structures of semiconductor superlattices with arbitrary periodic potential profiles // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, №8, P. 2035 — 2041.
Долмшюв И.Н., Толапихин В.И., Еленский В.Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов // Зарубеж. радиоэлектроника. 1990, №7. С. 66-89.
Schnell R.D., Tews Н. Size effects in microstructured resonant tunneling diodes / / Solid-state electronics. 1990 . Vol. 33 , № 11 . P . 1467-1470.
Weisshaar A., Cary J ., Goodnick S.M., Tripathi V.K. Negative differential resistance in a resonant quantum wire structure // IEEE Electron. Device Lett. 1991. Vol. 12. №1. P. 2-4.
Уэбер С. Перспективы новых поколений ИС-приборов на квантовых эффектах // Электроника. 1988, №20. С. 83-89.
ТагерА.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. Ч. 2. Резонансно-туннельные диоды и транзисторы // Электрон. техника. Сер. 1 Электроника СВЧ .1988. Вып. 2 (406 ) . С. 17—33.
Тилл Д. Квантово-туннельный транзистор побивает рекорды миниатюрности и быстродействия // Электроника. 1989. №2, С. 6. 15. Оптический транзистор фирмы NTT // Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НИИЭИР. 1991. Вып. 23. С. 23.
Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультра-больших интегральных схем : Пер. с англ. М., 1991 . 327 с.
Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М., 1990. 304 с.
Данилина О.В., Косых А .Е., Логгинов А.С., Пашко С.А. Мощный квантово-размерный AlGaAs/GaAs инжекционный лазер с широким контактом и остронаправленной диаграммой направленности / / Квантовая электроника. 1991 . №11. С. 1313-1314.
Rosenzweig A., Mohrle М., Duser H ., Venghaus H. Threshold-current analysis of InGaAs— InGaAsP multiquantum well separate-confinement lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, № 6. P. 1804 - 1811.
Chung Y.C.. Wiesenfeld J.M., Raybon G . et al. Intermodulalion distortion in a inullinle-quantum-well-semiconductor optical amplifier // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. Vol. 3, №2. P. 130-132.
Wakila K , Kotaka I., Mitomi O. Observation of low-chirp modulation in InGaAs–InAlAs multiple-quantumwell optical modulators under 30G H z // Ibid. P. 138-140.
Youn H.J., Darling R.В., Kuhn K J . AIGaAs–GaAs multiple quantum-well spectrally tunable photoconductors // Ibid. P. 159-161.
Yamanouchi T., Takahashi T., Arakawa Y. Tight binding analysis for quantum-wire lasers and quantum-wire infrared detectors // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol. 27, №6. P. 1817-1823.
Нефф Дж.А., Amxaл e P.A., Ли C.X. Двумерные пространственные модуляторы света: Метод. обзор // ТИИЭР. 1990. Т. 78, №5. С. 29— 58.
Цифровой оптический процессор // Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НИИЭИР. 1990. Вып. 13. С. 20 ,21 ; Вып. 17. С. 14,15.
Штрайбль Н., Брен-нер К.-Х., Хуан А. и 0р. Цифровая оптика // ТИИЭР. 1989. Т. 77. №12. С. 179— 196.
Ижнин И.И., Гаврилюк Ю.Н. Эпитаксиальные методы выращивания GaAs // Зарубеж. электрон, техника. 1991. Вып. 10-11.
Херман М. Полупроводниковые сверх-решетки: Пер. с англ. М., 1989. 240 с.
Низкотемпературное выращивание высококачественных арсенид-галиевых пленок / / Радиоэлектроника за рубежом, экспресс-информация. НЙИЭИР. 1990. Вып.20. С .15.
Herman М.A., Bimberg D., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: evaluation by luminescence techniques // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70 , №2. P. 1-52.
