Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation

Authors

  • N. M. Rudenko National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev
  • I. I. Stuguk National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2009.39.126-130

Keywords:

light-emitting diodes, radioactivity stability semiconductor

Abstract

The ratio determining change of the carrier life time in semi-conductor materials under influence of radiation are received

Author Biographies

N. M. Rudenko, National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

Руденко Н.М., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів

I. I. Stuguk, National Technical University of Ukraine, Kyiv Politechnic Institute, Kiev

Стужук І.І., аспірантка радіотехнічного факультету

References

Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов //Электронные компоненты. — 2000. — №2. — С. 22 - 27.

Никифоров С.Г. Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители? // Компоненты и технологии. — 2005. — № 7 — С. 16 – 24.

Bergh A. Dean P. Light-emitting diodes // Clarendon Press. Oxford. — 1976. — 686 p.

How to Cite

Руденко, Н. and Стужук, І. (2009) “Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation”, Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, 0(39), pp. 126-130. doi: 10.20535/RADAP.2009.39.126-130.

Issue

Section

Functional Electronics. Micro- and Nanoelectronic Technology

Most read articles by the same author(s)