Мікросмужкові тривимірні ємнісні шлейфи

Автор(и)

  • С. Г. Первак Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"
  • Я. Л. Зінгер Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" http://orcid.org/0000-0002-4245-7311
  • Ю. Ф. Адаменко Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" http://orcid.org/0000-0003-0452-6301
  • В. О. Адаменко Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" http://orcid.org/0000-0003-0601-8394
  • Є. А. Нелін Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" http://orcid.org/0000-0002-8208-9664

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2019.77.30-35

Ключові слова:

фільтр нижніх частот, ємнісний шлейф, тривимірна модель, одновимірна модель, шлейфне Т-з’єднання

Анотація

Мікросмужкові фільтри широко застосовують в радіоелектронних системах. Фільтри нижніх частот конструюють на основі квазізосереджених індуктивностей та ємностей. Квазізосереджену ємність виконують як мікросмужкову секцію із широким сигнальним провідником або як розімкнутий шлейф, з’єднаний з основною лінією. Традиційні конструкції таких ємностей двовимірні (2D) у вигляді відрізків мікросмужкової лінії. Запропоновані авторами тривимірні (3D) квазізосереджені елементи мають в 1,5…4 рази більші значення реактивних параметрів. Розімкнутий 3D-шлейф являє собою глухий металізований отвір у діелектричній основі, з’єднаний з основною лінією. У статті розглянуто конструктивні відмінності 2D та 3D ємнісних шлейфів. 3D-шлейф як порівняти з 2D-шлейфом має суттєво кращі параметри: його хвильовий імпеданс менший в 1,4…3,5 рази, а ємність більша в 1,6…4,1 рази. Оскільки для фільтра необхідні задані значення ємності, площа 3D-шлейфа відповідно менша. 3D-моделюванням проаналізовано особливості залежностей електричних параметрів 3D-шлейфа від його конструктивних параметрів. Показано, що частота режекції шлейфа дорівнює частоті резонанса шлейфа з паразитною індуктивністю, зумовленою шлейфним Т-з’єднанням. У разі традиційних розмірів контакта шлейфа та основної лінії ця індуктивність від’ємна, що призводить до збільшення значення частоти режекції і, відповідно, погіршення крутості амплітудно-частотних характеристик шлейфа та фільтра. Для зменшення паразитної індуктивності запропоновано конструктивне рішення у вигляді контактного майданчика між лінією та шлейфом. Досліджено залежності цієї індуктивності від конструктивних параметрів шлейфа та майданчика. Оптимізація розмірів контактного майданчика дозволяє оптимізувати значення індуктивності з умови необхідної крутості амплітудно-частотної характеристики. Запропоновано одновимірну модель 3D-шлейфа, що характеризує його еквівалентними хвильовим імпедансом та відносною діелектричною проникністю. Ця модель може використовуватися як модель першого наближення під час проектування та дослідження мікросмужкових фільтрів на основі ємнісних 3D-шлейфів.

Біографії авторів

  • С. Г. Первак, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"

    Первак С. Г., магістрантка радіотехнічного факультету

  • Я. Л. Зінгер, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"
    Зінгер Я. Л., аспірантка радіотехнічного факультету
  • Ю. Ф. Адаменко, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"
    Адаменко Ю. Ф., к. т. н., доцент кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури
  • В. О. Адаменко, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"

    Адаменко В. О., ст. викладач кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури

  • Є. А. Нелін, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"
    Нелін Є. А., д.т.н., професор кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури

Посилання

Gupta K. and Sahayam N. (2018) A review on microstrip filters for the application in communication systems. IRJET, Vol. 5, No 12, pp. 709-717.

Edwards T.C. and Steer M.B. (2016) Foundations for Microstrip Circuit Design, Wiley. DOI: 10.1002/9781118936160

Jubril A. and Nyitamen D. S. (2018) 2GHz microstrip low pass filter design with open-circuited stub. IOSR-Journal of Electronics and Communication Engineering, Vol. 13, No 2, pp. 1-9. DOI: 10.9790/2834-1302020109

Nelin E.A., Zinher Y.L. and Popsui V.I. (2018) Low-Pass Filters Based on Crystal-Like Inhomogeneities. Radioelectronics and Communications Systems, Vol. 61, Iss. 5, pp. 214-221. DOI: 10.3103/s0735272718050059

Hong J.-S. (2011) Microstrip Filters for RF/Microwave Applications, Wiley. DOI:10.1002/9780470937297

Gard R., Bahl I. and Bozzi M. (2013) Microstrip Lines and Slotlines, Artech House, 590 p.

Завантаження

Опубліковано

2019-06-20

Номер

Розділ

Радіотехнічні кола та сигнали

Як цитувати

“Мікросмужкові тривимірні ємнісні шлейфи” (2019) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (77), pp. 30–35. doi:10.20535/RADAP.2019.77.30-35.

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>