Імпедансна модель для наноелектронних структур

Автор(и)

  • Р.С. Ахмедов Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • Є.А. Нелін Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” http://orcid.org/0000-0002-8208-9664

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2007.34.102-105

Ключові слова:

наноелектронні квантово-механічні структури, імпедансна модель

Анотація

Розглянуто використання імпедансної моделі для моделювання наноелектронних квантово-механічних структур. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.

Біографії авторів

  • Р.С. Ахмедов, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
    Ахмедов Р.С., магістрант радіотехнічного факультету
  • Є.А. Нелін, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
    Нелін Є.А., д.т.н., проф. кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури

Посилання

Нелин Е.А. Наноэлектронные устройства на основе сверхрешеток // Вестник Киевского политехнического института (радиотехника). 1993. Вип.30. C. 3―15.

Khondker A. N., Khan M. R., Anwar A. F. M. Transmission line analogy of resonance tunneling phenomena: The generalized іmpedance concept // J.Appl.Phys. 1988. V.63, N. 10. P. 5191–5193.

Ando Y., Itoh T. Calculation of transmission tunneling current across arbitrary potential barriers // J.Appl.Phys. 1987. V. 61, N 4. P. 1497―1502.

Завантаження

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Як цитувати

“Імпедансна модель для наноелектронних структур” (2007) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (34), pp. 102–105. doi:10.20535/RADAP.2007.34.102-105.

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають