Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації

Автор(и)

  • А.О. Дружинін Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • І.П. Островський Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • Ю.М. Ховерко Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • А.М. Вуйцик Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2013.54.126-135

Ключові слова:

кремній-германій, нитчасті кристали, , перехід метал-діелектрик, деформація, сенсор, мікроконтролер

Анотація

На основі експериментальних досліджень встановлено, що деформовані стиском мікрокристали Si1-хGeх (х = 0,01÷0,03) з питомим опором  ρ300 = 0,016 Ом см можуть бути використані як чутливі елементи сенсорів механічних величин, працездатні за кріогенних температур. Створено вимірювальну систему з використанням чутливих елементів сенсорів на основі  нитчастих кристалів  Si1-xGex із одночасною корекцію їх температурних залежностей, що дозволить враховувати температурну залежність коефіцієнта тензочутливості при зміні температури середовища.

Біографії авторів

  • А.О. Дружинін, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
    Дружинін А.О., д.т.н., проф. кафедри напівпровідникової електроніки
  • І.П. Островський, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
    Островський І.П., д.т.н., доцент кафедри напівпровідникової електроніки
  • Ю.М. Ховерко, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
    Ховерко Ю.М., к.т.н., с.н.с. кафедри напівпровідникової електроніки
  • А.М. Вуйцик, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
    Вуйцик А.М., к.т.н., м.н.с. кафедри напівпровідникової електроніки

Посилання

Дружинин А.А. О возможности создания высокочувствительных пьезорезистивных сенсоров механических величин для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Датчики и сиcтемы. – 2005. – № 7. – С. 17-21.

Druzhinin A. Study of piezoresistance in GexSi1-x whiskers for sensor application / A. Druzhinin, I. Ostrovskii , N. Liakh // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2005. – № 8. – P.193-196.

Bhatt R.N. Stress dependence of the metal-insulator transition in doped semiconductors / Phys. Rev. – 1982. – Vol. B26, № 2. – P. 1082–1085.

Bogdanovich S. Hopping conduction in uniaxially stressed Si:B near the insulator-metal transition / S. Bogdanovich, D. Simonian, S.V. Kravchenko // Phys. Rev. – 1999. – Vol. B60, № 4. – P. 2286–2290.

http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/39662c.pdf

http://www.analog.com/static/imp.-files/Data_Sheets/AD77987799.pdf

Завантаження

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Як цитувати

“Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації” (2013) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, (54), pp. 126–135. doi:10.20535/RADAP.2013.54.126-135.

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають