Вплив гамма-випромінювання на основні статичні характеристики SiGe транзисторів
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2017.71.40-45Ключові слова:
радіаційна стійкість, SiGe-транзистори, аналогові мікросхеми, гамма випромінювання, основні статичні характеристики транзистораАнотація
Розглянуто вплив гамма-випромінювання радіонукліда 60Co на найбільш важливі для аналогових мікросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторів техпроцесу SGB25V: напруга на прямозміщеному емітерному переході, залежність статичного коефіцієнта передачі струму бази в схемі із спільним емітером (СЕ) від емітерного струму, вихідна характеристика в схемі з СЕ.Посилання
Dvornikov, О. V., Tchekhovski, V. А., Dziatlau, V. L. and Prokopenko, N. N. (2016) The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures. Visnyk NTUU KPI Seriia -- Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, No. 66, pp. 87-96.
Najafizadeh L., Zhu C., Krithivasan R., Cressler J. D., Cui Y., Niu G., Chen S., Ulaganathan C., Blalock B. J. and Joseph A. J. (2006) SiGe BiCMOS Precision Voltage References for Extreme Temperature Range Electronics. 2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp. 1-4. DOI: 10.1109/BIPOL.2006.311117.
Weinreb S., Bardin J.C., Mani H. (2007) Design of Cryogenic SiGe Low-Noise Amplifiers. IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol. 55, No. 11, pp.,2306-2312. DOI: 10.1109/tmtt.2007.907729
Liang Q., Krithivasan R., Ahmed A., Lu Y., Li Y., Cressler J. D., Niu G., Rieh J.-S., Freeman G., Ahlgren D. and Joseph A. (2006) Analysis and understanding of unique cryogenic phenomena in state-of-the-art SiGe HBTs. Solid-State Electronics, Vol. 50, Iss. 6, pp. 964–972. DOI: 10.1016/j.sse.2006.04.027
Kayser-Threde GmbH AMICSA 2008 - First radiation test results of the SiGe Technology SGB25V of IHP, 21 p.
Cressler J. D. (2008) Silicon-Germanium as an Enabling IC Technology for Extreme Environment Electronics. Proceedings of the 2008 IEEE Aerospace Conference, pp.,1-7. DOI: 10.1109/aero.2008.4526489
Thrivikraman T.K., Cheng P., Phillips S.D., Comeau J.P., Morton M.A., Cressler J.D. and Marshall P.W. (2008) On the Radiation Tolerance of SiGe HBT and CMOS-Based Phase Shifters for Space-Based, Phased Array Antenna Systems. IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, pp. PE-4. DOI: 10.1109/tns.2008.2006968
Teply F.E., Venkitachalam D., Sorge R., Scholz R.F., Heyer H.-V., Ull´an M., D´ıez S. and Faccio F. (2011) Radiation Hardness Evaluation of a 0.25 μm SiGe BiCMOS Technology with LDMOS Module. Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2011 12th European Conference, pp. 881-888. DOI: 10.1109/radecs.2011.6131321
Cheng P., Pellish J. A., Carts M. A., Phillips S., Wilcox E., Thrivikraman T., Najafizadeh L., Cressler J. D. and Marshall P. W. (2009) Re-Examining TID Hardness Assurance Test Protocols for SiGe HBTs. IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 56, No. 6, pp. 3318-3325. DOI: 10.1109/TNS.2009.2032857.
Ullan M., Alegre J.P., Diez S., Pellegrini G., Campabadal F., Lozano M. and Lora-Tamayo E. (2007) Excess Base Current Model for Gamma-Irradiated SiGe Bipolar Transistors. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, Tokyo, pp. 162-164. DOI: 10.1109/ICMTS.2007.374475.
Ullan M., Diez S., Campabadal F., Lozano M., Pellegrini G., Knoll D. and Heinemann B. (2007) Gamma Radiation Effects on Different Varieties of SiGe:C HBT Technologies. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 54, no. 4, pp. 989-993. DOI: 10.1109/TNS.2007.895918.
Banerjee G., Niu G., Cressler J.D., Clark S.D., Palmer M.J. and Ahlgren D.C. (1999) Anomalous dose rate effects in gamma irradiated SiGe heterojunction bipolar transistors. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 46, no. 6, pp. 1620-1626. DOI: 10.1109/23.819130.
Metcalfe J., Dorfan D.E., Grillo A.A., Jones A., Mendoza M., Rogers M., Sadrozinski H.F.-W., Seiden A., Spencer E., Wilder M., Cressler J.D., Prakash G. and Sutton A. (2005) Evaluation of the radiation tolerance of SiGe heterojunction bipolar transistors under 24 GeV proton exposure. IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, Fajardo, pp. 974-977. DOI: 10.1109/NSSMIC.2005.1596416.
Grens C. M., Haugerud B.M., Sutton A.K., Chen T., Cressler J.D., Marshall P.W., Marshall C.J. and Joseph A.J. (2005) The effects of proton irradiation on the operating voltage constraints of SiGe HBTs. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 52, no. 6, pp. 2403-2407. DOI: 10.1109/TNS.2005.860700.
Lu Yuan, Cressler J.D., Krithivasan R., Li Ying, Reed R.A., Marshall P.W., Polar C., Freeman G. and Ahlgren D. (2003) Proton tolerance of third-generation, 0.12 μm 185 GHz SiGe HBTs. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 50, no. 6, pp. 1811-1815. DOI: 10.1109/TNS.2003.820737.
Qin G., Jiang N., Ma J., Ma Z., Ma P. and Racanelli M. (2011) Dc characteristics of proton radiated SiGe power HBTs at cryogenic temperature. 2011 International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), pp. 1-2. DOI: 10.1109/EDSSC.2011.6117703
Díez S., Ullán M., Grillo A. A., Kierstead J., Kononenko W., Martinez-McKinney F., Newcomer F. M., Rescia S., Ruat M., Sadrozinski H. F.-W., Seiden A., Spencer E., Spieler H. and Wilder M. (2010) Radiation hardness evaluation of a 130 nm SiGe BiCMOS technology for the ATLAS electronics upgrade. IEEE Nuclear Science Symposuim & Medical Imaging Conference, Knoxville, TN, pp. 587-593. DOI: 10.1109/NSSMIC.2010.5873828.
Diez S., Lozano M., Pellegrini G., Mandic I., Knoll D., Heinemann B. and Ullan M. (2009) Proton Radiation Damage on SiGe:C HBTs and Additivity of Ionization and Displacement Effects. IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 56, No. 4, pp. 1931-1936. DOI: 10.1109/TNS.2009.2018552.
Diez S., Lozano M., Pellegrini G., Mandic I., Knoll D., Heinemann B. and Ullan M. (2009) IHP SiGe:C BiCMOS Technologies as a Suitable Backup Solution for the ATLAS Upgrade Front-End Electronics. IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 56, no. 4, pp. 2449-2456. DOI: 10.1109/TNS.2009.2021835.
Diez S., Ullan M., Campabadal F., Lozano M., Pellegrini G., Knoll D. and Heinemann B. (2007) SiGe Bipolar Transistors for Harsh Radiation Environments. 2007 Spanish Conference on Electron Devices, Madrid, pp. 158-161. DOI: 10.1109/SCED.2007.384016.
Cressler J.D. (2005) Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. CRC Press, 1248 p. DOI: 10.1201/9781420026580
Semiconductor Characterization Meter IPPP-1. Available at: http://www.mnipi.by.
Prokopenko N.N., Serebryakov A.I. and Butyrlagin N.V. (2014) A method of increasing the stability of the zero level analog circuits based on the "Folded" cascode in the terms of temperature and radiation effects. 2014 12th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE – 2014), Novosibirsk, vol. 1, pp. 59-63. DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040717.
Prokopenko N. N., Pakhomov I. V., Bugakova A. V. and Butyrlagin N.V. (2016) Zero level of BiJFet-Differential Difference Operational Amplifiers and Methods of its Decrease in Conditions of Low Temperatures and Radiation Effect. 2016 International Conference on Signals and Electronic Systems (ICSES), Kraków, Poland, pp. 131-134. DOI: 10.1109/ICSES.2016.7593836.
Budyakov P.S., Prokopenko N.N. and Serebryakov A.I. (2014) Voltage Gain Compensation Method for The Classical Differential Stages in Radiation Action. ICSES 2014 International Conference on Signals and Electronic Systems, Poznan, POLAND. DOI: 10.1109/ICSES.2014.6948727
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
