Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання

Автор(и)

  • Н.М. Руденко Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • І.І. Стужук Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2009.39.126-130

Ключові слова:

світлодіоди, радіоактивна стійкість світлодіодів

Анотація

Надані розрахункові співвідношення, що визначають зміни часу життя носіїв в напівпровідникових матеріалах під впливом радіаційного опромінення.

Біографії авторів

Н.М. Руденко, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Руденко Н.М., к.т.н., доцент кафедри радіоприймання та оброблення сигналів

І.І. Стужук, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Стужук І.І., аспірантка радіотехнічного факультету

Посилання

Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов //Электронные компоненты. — 2000. — №2. — С. 22 - 27.

Никифоров С.Г. Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители? // Компоненты и технологии. — 2005. — № 7 — С. 16 – 24.

Bergh A. Dean P. Light-emitting diodes // Clarendon Press. Oxford. — 1976. — 686 p.

##submission.downloads##

Як цитувати

Руденко, Н. і Стужук, І. (2009) «Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(39), с. 126-130. doi: 10.20535/RADAP.2009.39.126-130.

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають