Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації

Автор(и)

  • А.О. Дружинін Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • І.П. Островський Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • Ю.М. Ховерко Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів
  • А.М. Вуйцик Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2013.54.126-135

Ключові слова:

кремній-германій, нитчасті кристали, , перехід метал-діелектрик, деформація, сенсор, мікроконтролер

Анотація

На основі експериментальних досліджень встановлено, що деформовані стиском мікрокристали Si1-хGeх (х = 0,01÷0,03) з питомим опором  ρ300 = 0,016 Ом см можуть бути використані як чутливі елементи сенсорів механічних величин, працездатні за кріогенних температур. Створено вимірювальну систему з використанням чутливих елементів сенсорів на основі  нитчастих кристалів  Si1-xGex із одночасною корекцію їх температурних залежностей, що дозволить враховувати температурну залежність коефіцієнта тензочутливості при зміні температури середовища.

Біографії авторів

А.О. Дружинін, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

Дружинін А.О., д.т.н., проф. кафедри напівпровідникової електроніки

І.П. Островський, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

Островський І.П., д.т.н., доцент кафедри напівпровідникової електроніки

Ю.М. Ховерко, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

Ховерко Ю.М., к.т.н., с.н.с. кафедри напівпровідникової електроніки

А.М. Вуйцик, Національний університет "Львівська політехніка", м. Львів

Вуйцик А.М., к.т.н., м.н.с. кафедри напівпровідникової електроніки

Посилання

Дружинин А.А. О возможности создания высокочувствительных пьезорезистивных сенсоров механических величин для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Датчики и сиcтемы. – 2005. – № 7. – С. 17-21.

Druzhinin A. Study of piezoresistance in GexSi1-x whiskers for sensor application / A. Druzhinin, I. Ostrovskii , N. Liakh // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2005. – № 8. – P.193-196.

Bhatt R.N. Stress dependence of the metal-insulator transition in doped semiconductors / Phys. Rev. – 1982. – Vol. B26, № 2. – P. 1082–1085.

Bogdanovich S. Hopping conduction in uniaxially stressed Si:B near the insulator-metal transition / S. Bogdanovich, D. Simonian, S.V. Kravchenko // Phys. Rev. – 1999. – Vol. B60, № 4. – P. 2286–2290.

http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/39662c.pdf

http://www.analog.com/static/imp.-files/Data_Sheets/AD77987799.pdf

##submission.downloads##

Як цитувати

Дружинін, А., Островський, І., Ховерко, Ю. і Вуйцик, А. (2013) «Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(54), с. 126-135. doi: 10.20535/RADAP.2013.54.126-135.

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають