Від мікроелектроніки до наноелектроніки
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2007.35.132-137Анотація
Наведено стислий огляд літератури в галузі наноелектроніки, який відображає аналіз фундаментальних обмежень зменшення розмірів елементів інтегральних схем, їх кількість на одному кристалі, збільшення швидкодії й функціональних можливостей.Посилання
2. Technology Roadmap for Nanoelectronics/European Comission 1ST programme Future and Emerging Technologies //Edit R.Compano Second Edition, November 2000
3. Okuto Y. Fundamental Perfomance Limit of Integrated Systems/Jpn. J.Appl.Phys.1996. V.35.P.612-615
4. Transport in Submicrometer Devices O.K.Ferry.R.O.Grondm / Ch. 12 VLSI Electronics Microstrucrure Science V.9 .// Ed. N G.Einspruch 1985 Acad.Press.FNC. N.Y.
5. Keyes R.W. THE PHYSICS OF VLSI SYSTEMS/ Ch.4, 7,8 1987 Addison-Wesley Co Wokingham, England
б. Реегсу P.S. The drive to miniaturization / Nature 2000 V.406 P. 1023-1026
7. Levinson M.D. Extending the Lifetime of Optical Lithography Technologies with Waveform Engineering /Jpn.J Appl.Phys. 1994. V.33 P.6756-6773
8. An Electron Beam Nanolithography System and its Application to Si Nanofabricatiort/K.Kurihara, K.Iwadate, H.Namatsu and others //Jpn/J/Appl/phys 1995 V.34 Part.l N.12B. p.6940-6946
9. Intense Focused Ion Beams for Nanostructurisation / S Kalbitzer, Ch.Wilbertz, Th.Miller //Nanolithography: A Borderland between STM, EB, IB, and X-Ray Lithography Ed. M.Gentili, C.Giovanella, S.Selcy //Kluwer Acad.Publ. London. P. 137-148
10. Smith H.I., Schattenburg M.L. X-Ray Nanolithography: Limits, and Application to SUB-100 NM Manufactoring / CM. 9. P. 103-119
11. Dagata J.A. STM Nanolithography and Characterization of Passivated Silicon and Gallium Arsenide // CM.9. P. 189-196
12. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. / М.Мир. 1986 Гл.5.
13. Жалуд.В., Кулешов В. Шумы в полупроводниковых устройствах/М. Сов. радио 1977.
14. McWhorter A.L., in "Semiconductor Surface Physics" Ed/R.H.Kingston 1956 Univ. Pensilv.Press Philadelphia. ,
15. Impact of Scaling Down on Low Frequency Noise in Silicon MOS Transistors /G.Ghibaude, O.Roux, J.Brini // Proc. Intem.Conf.24.11-27.111991 Kyoto, Japan Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations Ed/.T.Musha,S.Sato,M.Yamomoto 1991. Omsha Ltd. P.229-232
16. Low Frequency Fluctuations and 1/f Noise in Scaled Down Silicon CMOS Devices//Proc. 13th Intem.Conf. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations 29.5-3.6.1995 Palanga Lithuania //Ed V.Bareikis, R.Katilius//World Scientific 1995. London P. 404-409
17. Lukyanchikova N. Lorentzian Components in Low-Frequency Noise Spectra of SOI MOSFETS Proc. 16* Intem.Conf. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations //Ed G.Bosman World Scientific.2001 London P127-132 .
18. Low Frequency Noise Characterization in 0.18 mkm Technology N and P Channel MOSFETS./ Y. A.Allogo, M.Marin, M.DeMurcia and othrers//CM. [17] P. 137-140
19. Park N.. Kenneth K.O. A comparison of 1/f Noise of 0.25 mkm NMOS and PMOS Transistors from Deep-Subthreshold to Strong Inversion // см.[17] Р.153-156
20. Fantini P., Vendrame L., Riccardi D. Low Frequency Noise in CMOS Transistors: an Experimental and Comparative Study on Different Technologies //cм. [17], P. 145-152.
21. Flicker Noise in Submicron MOSFETS with 3.5 run Nitrided Gate Oxide /E.Simoen,
M.Da Rold, C.Clayes and others //CM. [17] P. 177-184
22. Low Frequency Noise in Poly-Si and Poly SiGe-Gated MOSFETS // J.A.Johansen, H.Figenschau, X.Chen and others // CM.' [17] P.161-164
23. Келдыш Л В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла ФТТ 1962. Т.4. С.2265-2267.
24. Esaki L Tsu R. Superlattice and Negative Differencial Conductivity in Semiconductors /IBM J. Res. And Dev. 1970 V. 14 P.61-65
25. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. //УМ. Мир 1989. 240 С.
26. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчии В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск 2000. 331 С
27. Гуляев A.M. Оптоэлектронные приборы на структурах с квантово-размерном эффектом / Итоги науки и техники Электроника ВИНИТИ Т.20 1988. С. 129-159
28. Гуляев A.M. приборы на основе структур с квантово-размерным эффектом /Итоги науки и техники Электроника ВИНИТИ Т.27.1990. С. 129-159
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
