Аналіз методів контролю та оцінки радіаційної стійкості на прикладі модельних (Zn-O)-GaP світлодіодів
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2014.56.112-120Ключові слова:
(Zn-O)-GaP, світлодіод, константа пошкоджуваності, радіаційна стійкість, нейтронне опромінення, сила світлаАнотація
В роботі досліджено вплив нейтронного опромінення з енергією понад 0,1 і 2,65 МеВ на силу світла (Zn-O)-світлодів з червоним кольором світіння. Показано, що випромінювальна компонента струму, пов'язана з інжекцією електронів в оптично активну р-область з лінійним розподілом активаторів люмінесценції, при заданій напрузі була лінійною функцією безвипромінювального часу життя і, отже, флюенса нейтронного опромінення. На підставі вивчення вольт-амперних характеристик запропонована модель, згідно з якою безвипромінювальна рекомбінація переважає в високоомному компенсованому шарі, що розділяє р-і-n-області, в якій має місце режим високого рівня інжекції. Зроблено висновок, що константа пошкоджуваності світлоділодів пропорційна імпульсу нейтронів.Посилання
Перелік посилань
Крамер-Агеев Е.А. Активационные методы спектроскопии нейтронов / Е.А. Крамер-Агеев, В.С. Трошин, Е.Г. Тихонов, А.А. Званцев.– М. : Атомиздат, 1976. – 232c.
Ваrnes С.Е. Neutron damage in GaP Light-emitting diodes / С. Е. Ваrnes // Аррl. Phis. Lett. – 1972. – V. 22, No З. – Р. 110–112.
Званцев А. А. Радиационные изменения характеристик светоизлучающих р-n-переходов из фосфида галлия / А. А. Званцев, К. А. Крамер-Агеев, И. В. Рыжиков. – М. : МИФИ, 1988. – 13 с.
Hall R. N. Power rectifirers and transistors / R. N. Hall // Ргос. IRE. – 1952. – Р. 1512–1518.
Карагеоргий-Алкалаев П. М. Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках / П. М. Карагеоргий-Алкалаев, Л. Ю. Лейдерман. – Ташкент, Уз.ССР: ФАН, 1971. – 204 с.
References
Kramer-Ageev E.A., Troshin V.S., Tikhonov E.G. and Zvantsev A.A. (1976) Aktivatsionnye metody spektroskopii neytronov. Moskow, Atomizdat Publ. 232 p.
Ваrnes С. Е. (1972) Neutron damage in GaP Light-emitting diodes. Аррl. Phis. Lett., Vol. 2, No З, pp. 110–112.
Zvantsev A. A., Kramer-Ageev K.A. and Ryzhikov I.V. (1988) Radiatsionnye izmeneniya kharakteristik svetoizluchayushchikh r-n-perekhodov iz fosfida galliya. Moskow, MIFI Publ., 13 p.
Hall R. N. (1952) Power rectifirers and transistors. Ргос. IRE, pp. 1512–1518.
Karageorgiy-Alkalaev P.M. and Leyderman L.Yu. (1971) Glubokie primesnye urovni v shirokozonnykh poluprovodnikakh, Tashkent, Uz.SSR: FAN Publ., 204 p.
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
