Основні характеристики SiGe біполярних гетеротранзисторів за низьких температур
DOI:
https://doi.org/10.20535/RADAP.2016.66.87-96Ключові слова:
SiGe біполярні транзистори, низькі температури, температура рідкого азотуАнотація
Розглянуті вольт-амперні характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe біполярних транзисторів (БТ) в діапазоні температур від мінус 195˚С до 25˚С, що виготовлені по технологічному маршруту SGB25V фірми IHP. Описана експериментальна установка, методика вимірювань і особливості ввімкнення транзисторів для усунення ефекту самозбудження. Особливу увагу приділено температурним залежностям статичного коефіцієнту підсилення струму бази в схемі з спільним емітером βF і вихідної ВАХ транзистора в схемі з спільним емітером.Посилання
Dvornikov О.V., Tchekhovski V.А., Dziatlau V.L. and Prokopenko N.N.. (2015) Sozdanie nizkotemperaturnykh analogovykh IS dlya obrabotki impul'snykh signalov datchikov. Chast' 1 [The creation of the low-temperature analog ICs for processing the impulse signals of sensors. Part 1]. Sovremennaya elektronika - Modern Electronics, No. 4, pp. 44-49.
Dvornikov О.V., Tchekhovski V.А., Dziatlau V.L. and Prokopenko N.N. (2015) Sozdanie nizkotemperaturnykh analogovykh IS dlya obrabotki impul'snykh signalov datchikov. Chast' 2 [The creation of the low-temperature analog ICs for processing the imulse signals of sensors. Part 2]. Sovremennaya elektronika - Modern electronics, No. 5, pp. 24-29.
Dvornikov О.V., Tchekhovski V.А., Dziatlau V.L. and Prokopenko N.N. (2015) Sozdanie nizkotemperaturnykh analogovykh IS dlya obrabotki impul'snykh signalov datchikov. Chast' 3 [The creation of the low-temperature analog ICs for processing the imulse signals of sensors. Part 3]. Sovremennaya elektronika - Modern electronics,, No. 6, pp. 34-39.
Malyshev I.V., Ionov P.L. and Repin V.V. (2008) Analog-digital microcircuits on the basis of Si-Ge technology – a new direction in a domestic SHF systems engineering. Problems of Perspective Micro- and Nanoelectronic Systems Development - 2008. Proceedings, Moscow, IPPM RAS, pp. 293-296
Teply F. E., Venkitachalam D., Sorge R., Scholz R. F., Heyer H.-V., Ullan M., Diez S. and Faccio F. (2011) Radiation Hardness Evaluation of a 0.25 μm SiGe BiCMOS Technology with LDMOS Module. 2011 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, pp. 881-888. DOI: 10.1109/RADECS.2011.6131321.
Cressler J.D. et.al. (2006) SiGe Integrated Electronics for Extreme Environments. 4th International Planetary Probe Workshop, Pasadena, CA.
Cressler J. D. Low-Temperature Electronics. 6 th International Planetary Probe Workshop, Atlanta, Georgia. Short Course on Extreme Environments Technologies 6/08.
Najafizadeh L., Zhu Ch., Krithivasan R., Cressler J., Cui Y., Niu G., Chen S., Ulaganathan Ch., Blalock B. and Joseph A. (2006) SiGe BiCMOS Precision Voltage References for Extreme Temperature Range Electronics. 2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp. 1-4. DOI: 10.1109/BIPOL.2006.311117.
El-Ghanam S.M., Basit W. A. (2011) Performance of electronic switching circuits based on bipolar power transistors at low temperature. Cryogenics, Vol. 51, No. 3, pp. 117-123.
Weinreb S., Bardin J.C. and Mani H. (2007) Design of Cryogenic SiGe Low-Noise Amplifiers. IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol. 55, No. 11, pp. 2306-2312.
Liang Q., Krithivasan R., Ahmed A., Lu Y., Li Y., Cressler J. D., Niu G., Rieh J.-S., Freeman G., Ahlgren D. and Joseph A. (2006) Analysis and understanding of unique cryogenic phenomena in state-of-the-art SiGe HBTs. Solid-State Electronics, Vol. 50, no. 6, pp. 964–972.
Goryachev M., Galliou S., Abbé P. (2010) Cryogenic transistor measurement and modeling for engineering applications. Cryogenics, Vol. 50, no. 6-7, pp. 381–389. doi:10.1016/j.cryogenics.2010.02.002
Qin G., Jiang N., Ma J., Ma Z., Ma P. and Racanelli M. (2011) Dc characteristics of proton radiated SiGe power HBTs at cryogenic temperature. 2011 International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), pp. 1-2. DOI: 10.1109/EDSSC.2011.6117703
Cressler J. D. ed. (2005) Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy, CRC Press, 871 p.
Dvornikov О. and Shulgevich Yu. (2009) Metody identifikatsii parametrov modelei integral'nykh tranzistorov. Chast' 2. Identifikatsiya parametrov modeli, opisyvayushchikh vol'tampernye kharakteristiki bipolyarnykh tranzistorov [The identification methods of the parameters of integrated transistor models. Part 2. The model parameter identification, describing the current voltage characteristics of BiJFETs]. Sovremennaya elektronika - Modern Electronics, , No. 6, pp. 52–61.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у нашому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована нашим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у нашому журналі.
3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення рукопису роботи авторами в мережі Інтернет (наприклад, на arXiv.org або на особистих веб-сайтах). Причому рукописи статей можуть бути розміщенні у відкритих архівах як до подання рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання. Це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії, позитивно позначається на оперативності ознайомлення наукової спільноти з результатами Ваших досліджень і як наслідок на динаміці цитування вже опублікованої у журналі роботи. Детальніше про це: The Effect of Open Access.
