Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат

Автор(и)

  • Д. В. Хатян Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
  • М. А. Гіндікіна Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” http://orcid.org/0000-0001-9179-8713
  • Є. А. Нелін Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” http://orcid.org/0000-0002-8208-9664

DOI:

https://doi.org/10.20535/RADAP.2015.62.100-107

Ключові слова:

напівпровідникові надґрати, вхідний імпеданс, зонна діаграма

Анотація

Досліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених напівпровідникових надґрат (НҐ). Взаємним порівняння залежностей коефіцієнта відбиття обмежених НҐ і активної складової вхідного імпедансу необмежених НҐ проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими НҐ. В результаті аналізу залежності параметрів заборонених зон обмежених НҐ від кількості бар’єрів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених НҐ до параметрів зонної діаграми необмежених НҐ.

Біографії авторів

Д. В. Хатян, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Хатян Д. В., магістрант радіотехнічного факультету

М. А. Гіндікіна, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Гіндікіна М. А., аспірантка радіотехнічного факультета

Є. А. Нелін, Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”

Нелін Є. А., д.т.н., професор кафедри конструювання та виробництва радіоапаратури

Посилання

Перелік посилань

Bastard G. Heterostructures and Superlattices, Semiconductor. Encyclopedia of Applied Physics / G. Bastard. – N. Y. : Wiley, 2003. – P. 477–493.

Razeghi M. The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications / M. Razeghi, L. Esaki, K. von Klitzing, eds. – Bellingham: SPIE Press, 2013. – 1000 p.

Ахмедов Р. С. Імпедансна модель для наноелектронних структур / Р. С. Ахмедов, Е. А. Нелін // Вісник НТУУ «КПІ». Серія Радіотехніка. Радіоапаратобудування. – 2007. – № 34. – С. 102 – 105.

Водолазька М. В. Вхідні імпедансні характеристики двобар’єрних структур / М. В. Водолазька, О. В. Миколайчик, Є. А. Нелін // Вісник НТУУ «КПІ». Серія Радіотехніка. Радіоапаратобудування, 2014. – № 58. – С. 112–120.

Нелин Е. А. Импедансные характеристики кристаллоподобных структур /

Е. А. Нелин // ЖТФ. – 2009. – T. 79, № 7. – С. 27–31.

References

Bastard G. (2003) Heterostructures and Superlattices, Semiconductor. Encyclopedia of Applied Physics, pp. 477–493.

Razeghi M., Esaki L. and Klitzing K. von, eds. (2013) The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications. Bellingham: SPIE Press, 1000 p.

Akhmedov, R. S., Nelin, E. A. (2007) Impedance model for nanostructures. Visn. NTUU KPI, Ser. Radioteh. radioaparatobuduv., no. 34, pp. 102-105. (in Ukrainian)

Mikolaychik, O. V., Vodolazka, M. V., Nelin, E. A. (2014) Input impedance characteristics of double barrier structures. Visn. NTUU KPI, Ser. Radioteh. radioaparatobuduv., no. 58, pp. 112-120. (in Ukrainian)

Nelin E. A. (2009) Impedance Characteristics of Crystal-like Structures. Tech. Phys., vol. 54, no. 7, pp. 953-957.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-09-30

Як цитувати

Хатян, Д. В., Гіндікіна, М. А. і Нелін, Є. А. (2015) «Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат», Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування, 0(62), с. 100-107. doi: 10.20535/RADAP.2015.62.100-107.

Номер

Розділ

Функціональна електроніка. Мікро та наноелектронна техніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>